Halbleiter-Glossar

A

 

B

Backside:Die untere Oberfläche eines Silizium-Wafers. (Hinweis: Dieser Begriff wird nicht bevorzugt; verwenden Sie stattdessen 'Rückseite').

Basis-Siliziumschicht: Der Silizium-Wafer, der sich unter der Isolatorschicht befindet, die die Siliziumschicht auf dem Wafer trägt.

Bipolar: Transistoren, die sowohl Löcher als auch Elektronen als Ladungsträger verwenden können.

Bonded Wafer: Zwei Siliziumscheiben, die durch Siliziumdioxid, das als Isolierschicht dient, miteinander verbunden wurden.

Bonding Interface: Der Bereich, in dem die Verbindung zwischen zwei Wafern stattfindet.

Buried Layer:Ein Pfad mit geringem Widerstand für einen Strom, der sich in einem Gerät bewegt. Viele dieser Dotierstoffe sind Antimon und Arsen.

Buried Oxide Layer (BOX): Die Schicht, die zwischen den beiden Wafern isoliert.

 

C

Carrier: Valenzlöcher und Leitungselektronen, die in der Lage sind, eine Ladung durch eine feste Oberfläche in einem Silizium-Wafer zu tragen.

Chemisch-mechanisches Polieren (CMP): Ein Verfahren zum Abflachen und Polieren von Wafern, bei dem sowohl chemisches Abtragen als auch mechanisches Schwabbeln zum Einsatz kommen. Es wird während des Herstellungsprozesses eingesetzt.

Chuck Mark: Eine Markierung auf einer der beiden Oberflächen eines Wafer, die entweder von einem Roboter-Endeffektor, einem Chuck oder einem Stab verursacht wird.

Cleavage Plane:Eine Bruchebene, die bevorzugt wird.

Crack:Eine Markierung auf einem Wafer mit einer Länge von mehr als 0,25 mm.

Crater:Unter diffuser Beleuchtung sichtbarer Oberflächenfehler auf einem Wafer, der einzeln unterschieden werden kann.

Crosstalk:Unverbundene Schaltkreise auf einer Platine, die sich gegenseitig beeinflussen. Verursacht letztendlich eine Fehlfunktion des Geräts.

Conductivity (elektrisch):Ein Maß dafür, wie leicht Ladungsträger durch ein Material fließen können.

Conductivity Type:Die Art der Ladungsträger in einem Wafer, z. B. "N-Typ" und "P-Typ".

Contaminant, Particulate:(siehe Lichtpunktfehler)

Contamination Area:Ein Bereich, der Partikel enthält, die die Eigenschaften eines Silizium-Wafer negativ beeinflussen können.

Contamination Particulate:Partikel, die sich auf der Oberfläche eines Silizium-Wafer befinden.

Crystal Defect:Teile des Kristalls, die Leerstellen und Versetzungen enthalten, die sich auf die elektrische Leistung eines Schaltkreises auswirken können.

Crystal Indices:(siehe Miller-Indizes)

 

D

Depletion Layer (Verarmungsschicht): Ein Bereich auf einem Wafer, der ein elektrisches Feld enthält, das Ladungsträger aus dem Wafer verdrängt.

Dimple: Eine konkave Vertiefung auf der Oberfläche eines Wafer, die unter den richtigen Lichtverhältnissen für das Auge sichtbar ist.

Donator:Eine Verunreinigung, die zusätzliche "freie" Elektronen abgegeben hat, wodurch ein Wafer "N-Typ" wird.

Dotierstoff: Ein Element, das ein Elektron oder ein Loch in den Leitungsprozess einbringt und so die Leitfähigkeit verändert. Dotierstoffe für Silizium-Wafer finden sich in den Gruppen III und V des Periodensystems der Elemente.

Dotierung: Der Prozess der Abgabe eines Elektrons oder Lochs an den Leitungsprozess durch einen Dotierstoff.

 

E

Edge Chip and Indent: Ein Kantenfehler, der größer als 0,25 mm ist.

Edge Exclusion Area: Der Bereich, der sich zwischen dem festen Qualitätsbereich und dem Rand eines Wafer befindet. (Dieser Bereich variiert je nach den Abmessungen des Wafer.)

Edge Exclusion, Nominal (EE): Der Abstand zwischen dem festen Qualitätsbereich und der Peripherie eines Wafer.

Edge Profile:Die Kanten von zwei miteinander verbundenen Wafern, die entweder chemisch oder mechanisch geformt wurden.

Etch:Ein Prozess chemischer Reaktionen oder physikalischer Entfernung, um den Wafer von überschüssigem Material zu befreien.

 

F

Fixed Quality Area (FQA): Der Bereich, der am zentralsten auf einer Waferoberfläche liegt.

Flat:Ein Abschnitt des Umfangs eines Wafers, der zur Orientierung des Wafer entfernt wurde.

Flat-Durchmesser: Das Maß von der Mitte der Flat durch die Mitte des Wafer bis zur gegenüberliegenden Kante des Wafer. (Senkrecht zum Flat)

Four-Point Probe:Testgeräte, die zur Prüfung des spezifischen Widerstands von Wafern verwendet werden.

Furnace and Thermal Processes:Geräte mit einem Temperaturmesser, die für die Bearbeitung von Wafern verwendet werden. Für den Prozess ist eine konstante Temperatur erforderlich.

Front Side:Die Oberseite eines Silizium-Wafers. (Dieser Begriff wird nicht bevorzugt; verwenden Sie stattdessen Vorderseite.)

 

G

Goniometer: Ein Instrument zur Messung von Winkeln.

Gradient, Resistivität:(nicht bevorzugt; siehe Resistivitätsvariation)

Groove:Ein Kratzer, der nicht vollständig herauspoliert wurde.

 

H

 

I

L

Laser-LichtstreuereignisEin Signalpuls, der Oberflächenfehler auf einem Wafer lokalisiert.

Lay: Die Hauptrichtung der Oberflächentextur auf einem Wafer.

Lichtpunktdefekt (LPD): (Nicht bevorzugt; s. Lokaler Lichtstreuer)

Lithografie: Das Verfahren, mit dem Muster auf Wafer übertragen werden.

Lokalisierter Lichtstreuer:Ein Merkmal auf der Oberfläche eines Wafer, z.B. ein Loch oder ein Kratzer, der Licht streut. Er wird auch als Lichtpunktdefekt bezeichnet.

Lot: Wafer ähnlicher Größe und Eigenschaften, die in einer Sendung zusammengefasst sind.

 

M

Mehrheitsträger:Ein Ladungsträger, entweder ein Loch oder ein Elektron, der in einer bestimmten Region dominiert, wie z.B. Elektronen in einem N-Typ Bereich.

Mechanischer Test-Wafer:Ein Silizium-Wafer, der für Testzwecke verwendet wird.

Mikrorauheit: Oberflächenrauhigkeit mit einem Abstand zwischen den Verunreinigungen mit einer Messung von weniger als 100 μm.

Miller-Indizes, einer kristallographischen Ebene: Ein System, das drei Zahlen verwendet, um die Planorientierung in einem Kristall zu identifizieren.

Minimale Bedingungen oder Abmessungen: Die zulässigen Bedingungen, die bestimmen, ob ein Wafer als akzeptabel angesehen wird oder nicht.

Minoritätsladungsträger: Ein Ladungsträger, entweder ein Loch oder ein Elektron, der in einem bestimmten Bereich nicht dominant ist, wie z.B. Elektronen in einem P-Typ-Bereich.

Mound : Ein erhabener Defekt auf der Oberfläche eines Wafer, der größer als 0,25 mm ist.

 

N

Notch: Eine Einkerbung an der Kante eines Wafer, die zur Orientierung dient.

 

O

Orangenhaut: Eine aufgeraute Oberfläche, die mit dem bloßen Auge sichtbar ist.

 

P

Partikel: Ein kleines Stück Material, das sich auf einem Wafer befindet und nicht mit diesem verbunden ist.

Partikelzählung: Wafer, die zum Testen von Werkzeugen auf Partikelkontamination verwendet werden.

Partikuläre Kontamination: Partikel, die sich auf der Oberfläche eines Wafer befinden. Sie erscheinen als helle Punkte, wenn ein gebündeltes Licht auf den Wafer fällt.

Pit: Eine nicht entfernbare Unvollkommenheit auf der Oberfläche eines Wafer.

Punktdefekt: Ein Kristalldefekt, bei dem es sich um eine Verunreinigung handelt, wie z.B. eine Gitterlücke oder ein interstitielles Atom.

Premium-Wafer:Ein Wafer, der für die Partikelzählung, die Messung der Musterauflösung im Fotolithografieprozess und die Überwachung der Metallkontamination verwendet werden kann. Dieser Wafer hat sehr strenge Spezifikationen für eine bestimmte Verwendung, aber weniger strenge Spezifikationen als der Prime-Wafer.

Primäre Orientierungsflachlage:Die längste Fläche auf dem Wafer.

Prozess-Test-Wafer: Ein Wafer, der sowohl für Prozesse als auch für die Sauberkeit von Bereichen verwendet werden kann.

Profilometer: Ein Gerät, das zur Messung der Oberflächentopographie verwendet wird.

R

Resistivität (elektrisch) :Der Grad der Schwierigkeit für geladene Ladungsträger, sich durch ein Material zu bewegen.

Required:Die Mindestangaben, die der Kunde bei der Bestellung von Wafern benötigt.

Rauheit: Die Textur auf der Oberfläche des Wafer, die sehr eng beieinander liegt.

 

S

Sägespuren: Oberflächenunregelmäßigkeiten

Scanrichtung: Bei der Berechnung der Ebenheit wird die Richtung der Unterseiten angegeben.

Scratch:Eine Markierung, die sich auf der Oberfläche des Wafer befindet.

Sekundäres Flat: Ein Flat, das kleiner ist als das primäre Orientierungsflat. Die Position dieser Fläche bestimmt, um welche Art von Wafer es sich handelt, und auch die Ausrichtung des Wafer.

Site: Ein Bereich auf der Vorderseite des Wafer, dessen Seiten parallel und senkrecht zur primären Orientierungsfläche verlaufen. (Dieser Bereich hat eine rechteckige Form)

Site Array: eine benachbarte Gruppe von Sites

Slip: Ein Defektmuster aus kleinen Erhebungen auf der Oberfläche des Wafer.

Smudge: Ein Defekt oder eine Verunreinigung auf dem Wafer, die durch Fingerabdrücke verursacht wurde.

Striation: Defekte oder Verunreinigungen in Form einer Spirale.

Unterseite einer Stätte: Ein Bereich innerhalb der Stätte, ebenfalls rechteckig. Der Mittelpunkt der Unterseite muss sich innerhalb des ursprünglichen Standorts befinden.

Oberflächentextur: Variationen auf der realen Oberfläche des Wafer, die von der Referenzoberfläche abweichen.

 

T

Test-Wafer: Ein Silizium-Wafer, der in der Produktion zu Überwachungs- und Testzwecken verwendet wird.

Dicke der oberen Siliziumschicht: Der Abstand zwischen der Oberfläche der oberen Siliziumschicht und der Oberfläche der Oxidschicht.

Top Silicon Film: Die Siliziumschicht, auf der Halbleiterbauelemente angebracht sind. Sie befindet sich über der Isolierschicht.

Total Indicator Reading (TIR): Der kleinste Abstand zwischen Ebenen auf der Oberfläche des Wafer.

 

V

Virgin-Test-Wafer:Ein Wafer, der noch nicht in der Herstellung oder anderen Prozessen verwendet wurde.

Void: Das Fehlen jeglicher Art von Bindung (insbesondere einer chemischen Bindung) am Ort der Bindung.

 

W

Wellen: Kurven und Konturen auf der Oberfläche des Wafer, die mit bloßem Auge zu erkennen sind.

Wellung:Weit auseinander liegende Unregelmäßigkeiten auf der Oberfläche eines Wafer.