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シリコン・ウェーファー

300mm (12")
シリコンウェーハ
200mm (8")
シリコンウェーハ
小口径
シリコンウェーハ
両面研磨ウェハー
ウルトラフラットウェーハ
フロートゾーン
ウェハー
低抵抗
ウェハー
Nタイプ
ウェハー
Coinroll
ウエハース

シリコンオンインシュレーター

厚膜SOI

  • デバイス層が2µmを超えるSOI
  • ボンド＆グラインド製法
  • 直径50mm～200mmの製品
  • 過剰在庫オプションとカスタム製造能力

薄膜SOI

  • SOI with a device layer <2µm
  • 水素注入による製造
  • 70nm～500nmのデバイス厚に特化
  • 過剰在庫オプションとカスタム製造能力

キャビティSOI

  • C-SOI製造、キャビティ設計ルール内のパラメータに対応

材料

ガラス・ウェハー

ホウケイ酸塩、溶融シリカ、溶融石英、ソーダ石灰。Schott®、Corning®など。

サファイア

Aプレーン、Cプレーン、Rプレーン。直径50mm～150mmに特化。

化合物半導体

ゲルマニウム、GaP、GaAs、GaN、InP、LinbO3。

非シリコンウェーハ

炭化ケイ素

4H & 6H SiC

  • 50mm - 150mm 4H SiC
  • 窒素ドープ、バナジウムドープ、アンドープ、HPSI
  • オン軸とオフ軸のオプション
  • 片面または両面研磨
  • 50mm（2インチ）および100mm（4インチ） 6H SiC
  • タイプ/ドーパント・オプションは在庫状況により異なる場合がある
  • 片面または両面研磨

SiCの回収

  • 100mm (4″) - 150mm (6″)
  • 完成したウエハーはエピ・レディ
  • 完全欠陥検査
  • フロント側表面粗さ≤0.1nm
  • 分析証明書(CoA)によって保証されたすべての特性
  • 少量注文と大量注文の両方を受け付ける

ベイエリアなら4時間以内ならどこでも。

米国では1日以内。

国際的には3日以内。