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실리콘 온 인슐레이터

후막 (Thick Film) SOI

  • 디바이스 레이어 >=2µm의 SOI
  • 본드 앤 그라인드 방식으로 제작
  • 직경 50mm - 200mm 제품
  • 초과 재고 옵션 및 맞춤형제조 기능

박막 (Thin Film) SOI

  • SOI with a device layer <2µm
  • 수소 주입으로 제작
  • 70nm-500nm의 디바이스 두께 전문
  • 초과 재고 옵션 및 맞춤형제조 기능

캐비티 SOI

  • 캐비티 설계 규칙 내 매개변수에 대한 C-SOI 제작

소재

유리 웨이퍼

붕규산, 용융 실리카, 용융 석영 및 소다 라임, Schott®, Corning® 등.

사파이어

A-평면, C-평면, R-평면. 직경 50mm-150mm 전문.

화합물 반도체

게르마늄, GaP, GaAs, GaN, InP, LinbO3.

비실리콘 웨이퍼

실리콘 카바이드

4H & 6H SiC

  • 50mm(2인치) - 150mm(6인치) 4H SiC
  • 질소 도핑, 바나듐 도핑, 비도핑 및 HPSI
  • 온 및 오프 축 옵션
  • 단면 또는 양면 연마
  • 50mm(2인치) 및 100mm(4인치) 6H SiC
  • 유형/도펀트 옵션은 가용성에 따라 달라질 수 있습니다.
  • 단면 또는 양면 연마

SiC 재생(리클레임)

  • 100mm(4인치) - 150mm(6인치)
  • 완성된 웨이퍼는 에피 준비 완료
  • 전체 결함 검사
  • 전면 표면 거칠기 ≤0.1nm
  • Certificate of Analysis(CoA)가 보장하는 모든 속성
  • 소량 및 대량 주문 모두 수용

베이 지역 (Bay Area) 어디든 4시간 이내.

미국에서는 1일 이내.

국제적으로 3일 이내.