A

Acceptor(어셉터): 붕소, 인듐, 갈륨과 같은 원소는 반도체에 자유 구멍을 만드는데 사용된다. 수용체 원자는 반도체보다 원자가 전자가 하나 적어야 한다.

Alignment Precision (선형 정밀도): 포토리소그래피 과정에서 발생하는 패턴의 변위

Anisotropic(비등방성): 언더컷팅이 거의 없거나 전혀 없는 식각 공정.

Area Contamination(오염 영역):웨이퍼 표면에 있는 모든 변색되거나 번진 모양의 이물질과 물질을 의미한다. 주로 얼룩, 지문, 물자국 등의 원인에 의한 결과이다.

Azimuth, in Ellipsometry(방위각, 타원계): 입사면과 타원의 장축 사이에서 측정된 각도를 뜻함

 

B

Backside(뒷면): 실리콘 웨이퍼의 하단 표면(참고: 이 용어는 선호되지 않으며, 대신 ‘back surface’를 사용합니다.)

Base Silicon Layer(기본 실리콘 레이어): 절연체 층 아래에 위치한 실리콘 웨이퍼를 뜻하며, 웨이퍼 위에 실리콘 필름을 지지함.

Bipolar(양극): 홀과 전자를 모두 전하 운반체로 활용할 수 있는 트랜지스터.

Bonded Wafers(접합된 웨이퍼): 절연층 역할을 하는 이산화규소에 의해 서로 결합된 두 개의 실리콘 웨이퍼를 의미함.

Bonding Interface: 두 웨이퍼의 접합이 발생하는 영역.

Buried Layer(매립층): 장치에서 이동하는 전류에 대한 낮은 저항 경로를 뜻함. 이러한 도팬트의 대부분은 안티몬과 비소로 구성 됨.

Buried Oxide Layer (BOX): 두 웨이퍼 사이를 절연하는 레이어.

 

C

Carrier(캐리어): 실리콘 웨이퍼의 고체 표면을 통해 전하를 전달할 수 있는 원자가 구멍 및 전도 전자.

Chemical-Mechanical Polish (CMP: 화학-기계 광택): 화학 제거 및 기계적 버퍼링을 모두 사용하여 웨이퍼를 평탄화하고 광택하는 공정을 뜻함. 이는 제작 과정에서 사용됨.

Chuck Mark: 웨이퍼 표면에서 발견되는 마크. 로봇 엔드 이펙터, 척 등에 의해 생겨남.

Cleavage Plane(절단면): 선호된 골절면.

Crack(균열): 웨이퍼에서 발견된 자국으로, 길이가 0.25 mm 이상인 경우 균열이라 칭함.

Crater: 웨이퍼의 표면의 불결함. 확산 조명 아래에서 확인가능하며, 개별적으로 구별할 수 있음.

Crosstalk(혼선): 보드의 관련 없는 회로가 상호 작용하는 경우. 궁극적으로 장치 오작동을 일으킴.

Conductivity (electrical) 전도성: 충전된 캐리어가 재료 전체에 얼마나 쉽게 흐를 수 있는지를 측정.

Conductivity Type(전도성 유형): 웨이퍼의 충전 캐리어 유형(예: “N타입”, “P타입”).

Contaminant, Particulate(오염물질, 미립자): (라이트 포인트 결함 참조)

Contamination Area(오염 영역): 실리콘 웨이퍼의 특성에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 입자가 포함된 영역.

Contamination Particulate(오염 미립자): 실리콘 웨이퍼 표면에서 발견된 입자.

Crystal Defect(결정 결함): 회로의 전기적 성능에 영향을 미칠 수 있는 공극과 전위를 포함하는 결정의 부분.

Crystal Indices (결정 지수): (밀러 지수 참조)

 

D

Depletion Layer(공핍층): 전하 캐리어를 쓸어버리는 전기장이 포함된 웨이퍼의 영역.

Dimple(딤플): 웨이퍼 표면에 오목한 움푹 들어간 부분이며, 올바른 조명 조건에서 눈으로 확인 가능.

Donor(도너): 여분의 “자유” 전자를 공여하여 웨이퍼 “N-타입”을 만든 오염물질.

Dopant(도팬트): 전도 과정에 전자 또는 홀을 기여시켜 전도성을 변화시키는 원소. 실리콘 웨이퍼의 도팬트는 원소 주기율표의 그룹 III 및 V에서 확인가능.

Doping(도핑): 도팬트에 의해 전도 과정에 전자 또는 홀이 기증되는 과정.

 

E

Edge Chip and Indent(모서리 칩과 인뎅트): 가장자리의 0.25mm보다 큰 불완전한 부분.

Edge Exclusion Area(모서리 제외 영역): 고정품질 면적과 웨이퍼 주변부 사이에 위치하는 면적 (웨이퍼의 치수에 따라 다름)

Edge Exclusion, Nominal (EE): 고정된 품질 영역과 웨이퍼 주변 사이의 거리.

Edge Profile: 화학/기계적으로 형성된 두 개의 접합 웨이퍼의 가장자리.

Etch(엣칭): 웨이퍼의 과도한 물질을 제거하기 위한 화학 반응을 사용하거나 물리적으로 제거하는 과정.

 

F

Fixed Quality Area (FQA) 고정 품질 영역: 웨이퍼 표면에서 가장 중앙에 있는 영역.

Flat: 웨이퍼 오리엔테이션을 위해 제거된 웨이퍼 둘레의 일부.

Flat Diameter(평면 지름): 플랫의 중심에서 웨이퍼의 중심을 거쳐, 웨이퍼의 반대쪽 가장자리까지의 측정(플랫에 수직)

Four-Point Probe: 웨이퍼의 저항을 테스트하는 장비.

Furnace and Thermal Processes: 웨이퍼 처리에 사용되는 온도 게이지가 있는 장비. 공정을 위해 일정한 온도가 필요함.

Front Side(전면): 실리콘 웨이퍼의 상단(이 용어는 선호되지 않으며, 대신 ‘Front Surface’를 사용함).

 

G

Goniometer(각도계): 각도 측정에 사용되는 도구.

Gradient, Resistivity(경사도, 저항성): (비선호 됨; 저항성 변화 참조)

Groove(홈): 완전히 광택처리 되지 않은 흠집.

 

 

H

Hand Scribe Mark: 웨이퍼 뒷면에 식별을 위해 손으로 긁은 표시.

Haze: 표면 결함의 대량 농축으로, 종종 웨이퍼에 흐릿한 모양이 남.

Hole: 양전하와 마찬가지로 원자가 전자의 부재로 인해 발생함.

 

I

Ingot(잉곳): 웨이퍼가 절단되는 다결정/단결정 실리콘으로 만들어진 원통형 고체.

 

L

Laser Light-Scattering Event: 웨이퍼의 표면 결함을 찾아내는 신호 펄스.

Lay: 웨이퍼 표면 텍스처의 주요 방향.

Light Point Defect (LPD): (선호되지 않음, Localized light-scatterer 참조)

Lithography(리소그래피): 패턴을 웨이퍼로 전송하는데 사용되는 프로세스.

Localized Light-Scatterer: 웨이퍼 표면에 있는 특징(예: 빛을 산란시키는 피트, 스크래치). 라이트 포인트 결함이라고도 불림.

Lot: 배송시 유사한 크기와 특성을 가진 웨이퍼가 함께 동반됨.

 

M

Majority Carrier: 특정 영역에서 우세한 전자(예: N-타입 영역의 전자)/ 홀의 반송파.

Mechanical Test Wafer: 테스트 목적으로 사용되는 실리콘 웨이퍼.

Microroughness: 불순물 간격이 측정값 100 μm 미만의 표면 거칠기.

Miller Indices, of a Crystallographic Plane(결정 평면의 밀러 지수): 결정에서 평면 오리엔테이션을 식별하기 위해 세가지 숫자를 사용하는 시스템.

Minimal Conditions or Dimensions(최소 조건/크기): 웨이퍼가 허용 가능한 것으로 간주되는지 여부를 결정하기 위한 허용 조건.

Minority Carrier: 특정 영역에서 우세하지 않은 전자(예: P-타입 영역의 전자)/홀.

Mound : 웨이퍼 표면에 0.25 mm 이상의 결함 발생 상태.

 

N

Notch: 방향 지정 목적으로 사용되는 웨이퍼 가장자리의 인덴트.

 

O

Orange Peel: 쉽게 볼 수 있는 거칠어진 표면.

 

P

Particle (입자): 웨이퍼와 연결되지 않은 웨이퍼에서 발견된 작은 물질 조각.

Particle Counting: 입자 오염을 테스트하는 데 사용되는 웨이퍼.

Particulate Contamination(미립자 오염): 웨이퍼 표면에서 발견된 입자. 콜라인된 빛이 웨이퍼에 비칠 때 밝은 점으로 표시됨.

Pit: 웨이퍼 표면에서 발견된 제거할 수 없는 불완전성.

Point Defect(포인트 결함): 격자 공실/중간 원자와 같은 불순물인 결정 결함.

Premium Wafer: 입자 수 세기, 포토리소그래피 공정의 패턴 해상도 측정, 금속 오염 모니터링 등에 사용할 수 있는 웨이퍼. 이 웨이퍼는 용도에 따라 사양이 매우 엄격하지만 Prime 웨이퍼보다 느슨한 사양을 지니고 있다.

Primary Orientation Flat: 웨이퍼에서 발견된 가장 긴 플랫.

Process Test Wafer: 공정 및 영역 청결에 사용할 수 있는 웨이퍼.

Profilometer: 지표면 지형 측정에 사용되는 도구.

R

Resistivity (Electrical) 저항성: 충전된 캐리어가 재료 전체를 이동하는데 어려움을 겪는 양.

Required(필수사항): 웨이퍼를 주문할 때 고객이 필요로 하는 최소 사양.

Roughness(거칠기): 웨이퍼 표면에 매우 가깝게 배치된 텍스처.

 

S

Saw Marks(톱 자국): 표면의 불규칙한 자국

Scan Direction: 평탄도 계산에서 침하 방향.

Scratch: 웨이퍼 표면에 있는 표시/자국.

Secondary Flat: 주 방향 플랫보다 작은 플랫이며, 이 플랫의 위치에 따라 웨이퍼의 유형과 방향이 결정됨.

Site(사이트): 웨이퍼 전면면에 주 오리엔테이션 평면에 평행하고 수직인 부위 (이 영역은 직사각형 모양).

Site Array: 인접 사이트 집합

Slip: 웨이퍼 표면에 있는 작은 능선의 결함 패턴.

Smudge: 지문으로 인한 웨이퍼의 결함이나 오염.

Striation: 나선의 모양에서 발견되는 결함이나 오염물질.

Subsite, of a Site: 부지 내에서 발견된 영역이며 직사각형이기도 하다. 하위 사이트의 중앙은 원래 사이트 내에 있어야 함.

Surface Texture: 기준 표면에서 벗어난 웨이퍼의 실제 표면에서 발견되는 변형.

 

T

Test Wafer: 모니터링 및 테스트 목적으로 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼.

Thickness of Top Silicon Film(상단 실리콘 필름 두께): 상단 실리콘 필름의 면과 산화층 표면 사이의 거리.

Top Silicon Film(상단 실리콘 필름): 반도체 소자가 놓이는 실리콘 층이며, 단열층 위에 위치된다.

Total Indicator Reading (TIR) 총 지시계 수치: 웨이퍼 표면의 평면 사이의 최소 거리.

 

V

Virgin Test Wafer: 제조 및 기타 공정에서 사용되지 않은 웨이퍼.

Void(공허): 결합 부위에 어떠한 종류의 결합(특히 화학 결합)이 없는 것을 칭함.

 

W

Waves: 웨이퍼 표면에서 육안으로 볼 수 있는 곡선과 윤곽.

Waviness: 웨이퍼 표면에 넓은 결함의 간격.

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