化合物半导体

化合物半导体

在某些应用中，化合物半导体比硅半导体拥有更多优势。例如，化合物半导体中的电子移动速度远快于硅半导体中的电子移动速度，实现了比硅半导体快100倍以上的高速处理性能。此外，化合物半导体可以在较低的电压下工作，可以发射和感应光，产生微波，并且具有磁敏性和耐高温特性。它们可以用于存储、路由、传输和检测数据，而所消耗的能量仅是当前解决方案的一小部分。因此，化合物半导体具有广泛的应用前景，可以提高目前使用硅基半导体的应用的性能，并将开辟出硅基半导体无法支持的广泛应用。化合物半导体已经被用于智能手机和其他无线设备的功率放大器、DVD和蓝光光碟的光源、LED、太阳能电池以及卫星中的太阳能电池和陀螺稳定器等。用于化合物半导体的常见元素包括：

·      砷化镓 (GaAs)
·      氮化镓 (GaN)
·      磷化铟 (InP)
·      硫化锌 (ZnS)
·      硒化锌 (ZnSe)
·      碳化硅 (SiC)
·      锗化硅 (SiGe)