氮化硅是一种化学化合物(Si3N4,SiN),具有优异的机械性能和热稳定性。通常用作于硬掩模、电介质材料或钝化层。氮化硅本质上非常坚硬,具有良好的抗热震性和抗氧化性。请参见以下SVM提供的氮化物类型。
LPCVD氮化硅薄膜(SiN薄膜)
温度越高,薄膜越稳定,纯度越高。
适用于晶圆的两面。
提供4种类型氮化硅薄膜:
1. 化学计量型LPCVD氮化物薄膜:
- 标准氮化物薄膜
- 通用型薄膜
- 优异的绝缘体
- 优异的硬掩膜
- 常用于MEMS领域
化学计量型氮化物薄膜规格:
- 厚度范围:100Å – 7500Å
- 折射率: 2.00 +/-.05
- 薄膜应力:>800MPa(拉应力)
- 晶圆尺寸:25mm – 300mm
- 温度:700°C – 800°C
- 加工面: 双面
2. 低应力LPCVD氮化物薄膜:
常见用途
- 硬掩膜
- 机械结构
- 悬臂梁
- 隔膜
- MEMS应用
低应力氮化物薄膜规格
- 厚度范围:50Å – 2µm
- 厚度公差: +/-5%
- 晶圆内均匀性:+/-5%或更好
- 晶圆对晶圆均匀性:+/-5%或更好
- 加工面: 双面
- 折射率: 2.20 +/-.02
- 薄膜应力:<250MPa(拉应力)
- 晶圆尺寸:50mm-300mm
- 温度: 820°C
3. 超低应力LPCVD氮化物薄膜:
- 可沉积比低应力氮化物薄膜更厚的薄膜
- 折射率略高
- 采用与低应力氮化物薄膜相同的温度
常见用途
- 硬掩膜
- 机械结构
- 悬臂梁
- 隔膜
- MEMS应用
超低应力氮化物薄膜规格:
- 厚度范围:50Å – 4µm
- 厚度公差:+/-5%
- 晶圆内均匀性:+/-5%或更好
- 晶圆对晶圆均匀性:+/-5%或更好
- 加工面:双面
- 折射率:2.30
4. 靶向应力LPCVD氮化物薄膜:
- 可根据客户的薄膜压力需求定制拉伸或压缩薄膜
- 厚度可达4µm
- 可自定义折射率
靶向应力LPCVD氮化物薄膜规格:
- 厚度范围:50Å – 4µm
- 厚度公差:+/-5%
- 晶圆内均匀性:+/-5%或更好
- 晶圆对晶圆均匀性:+/-5%或更好
- 加工面:双面
- 折射率: 2.05 – 2.35
- 薄膜应力:目标应力+/-50MPa(拉应力)
- 晶圆尺寸:50mm、100mm、125mm、150mm、200mm
- 晶圆厚度:100µm – 2,000µm
- 晶圆材料:硅、绝缘体上硅、石英
- 温度:800°C – 820°C
PECVD氮化硅薄膜(SiN薄膜)
- 低温下替代工艺
- 仅应用于晶圆单面
- 良好的折射率
- 低应力和标准工艺可用
PECVD氮化物薄膜规格:
- 厚度范围:100Å – 2µm
- 厚度公差:+/-7%
- 晶圆内均匀性:+/-7%或更好
- 晶圆对晶圆均匀性:+/-7%或更好
- 加工面:单面
- 折射率:1.98+/-.05
- 薄膜应力:<200MPa(低应力), +400MPa (标准工艺)
- 晶圆尺寸:50mm – 300mm
- 温度:300°C – 400°C
ALD氮化硅薄膜(SiN薄膜)
- 低温下替代工艺
- 仅应用于晶圆单面
- 高质量保形薄膜
- 原子级精度
ALD氮化物薄膜规格:
- 厚度范围:10Å – 350Å
- 厚度公差:+/-5%或更小
- 晶圆内均匀性:+/-5%或更好
- 加工面:单面
- 晶圆尺寸:200mm – 300mm
- 温度:450°C
PECVD氧氮化硅薄膜 (SiON薄膜)
- 氢杂质少
- 稳定性提高
- 器件可靠性提高
- 优异的抗裂性
- 适用于多层互连的平面化
- 这些特性意味着氧氮化硅薄膜作为最终钝化层、金属间层电介质和沟槽隔离衬垫的效果非常好
氧氮化硅薄膜规格:
- 厚度:100Å – 2μm
- 折射率:1.5 – 1.9
- 薄膜应力:250MPa
- 加工面:单面
- 温度:约400°C
- 晶圆直径:50mm – 300mm
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