正硅酸乙酯（TEOS）

PE TEOS – 等离子体增强正硅酸乙酯 – Si(C2H5O)4

等离子体增强正硅酸乙酯，通常称为PE TEOS，在室温下是一种液体薄膜，可用于生产各种应用的二氧化硅层。这种薄膜具有很好的绝缘性能和广泛的用途。等离子体增强TEOS不同于其他二氧化硅薄膜，因为它在反应过程中需要臭氧（O3）催化，以用于降低沉积温度。它可以生成一层具有非常高一致性的氧化层。

根据不同的应用需求，有些情况更倾向于这种方法而不是其他SiOx薄膜沉积技术，因为它不需要使用硅烷或二氯硅烷。去除这些气体可以改善所得薄膜的阶梯覆盖率。它还可以实现对薄膜应力的精确控制，这在其他二氧化硅沉积方法中是不可能实现的。

PE TEOS是在CVD系统中沉积的，首先将晶圆加热至比介质膜典型温度更低的温度（200℃-500℃）。一旦反应炉达到合适的温度，气态TEOS混合物就会均匀地分布在整个系统中，与晶圆平行。均匀分布气体后，气体和晶圆表面之间的射频能量就会开启沉积过程。

低颗粒正硅酸乙酯

低颗粒正硅酸乙酯的沉积过程与PE TEOS相同。为了保持高纯度，需将晶圆置于真空环境中，以防止在生长过程中产生任何不必要的颗粒。该工艺需要比PE TEOS温度更高的沉积室，因为在没有臭氧的帮助下，正硅酸乙酯直到700°C才开始分解。

为了最大限度地减少颗粒污染，SVM严格使用原生的、工厂密封的晶圆来生产低颗粒TEOS。

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