合成单晶蓝宝石晶圆
单晶蓝宝石是矿物刚玉(氧化铝 Al2O3)的透明品种。颜色是由晶体中的少量杂质造成的。可提供合成单晶抛光蓝宝石晶圆、蓝宝石窗口、蓝宝石基板、超薄蓝宝石晶圆和光学级蓝宝石晶圆。
生产蓝宝石的独特改性晶体生长方法有近十种。其中比较流行的有
- Czochralski法(CZ)
- 热交换器法(HEM)
- Kyropoulos法(KY)
- 限边馈膜生长限边馈膜生长(EFG)
- 直梯度凝固法(VGF)
- 水平定向结晶法(HDC)
蓝宝石的常见用途有
- LED 衬底
- 智能手机屏幕
- 智能手机镜头
- 专业光学应用。视窗、透镜、棱镜等
- 照相机和摄像机的镜头
- 屏蔽保护罩
- 钟表行业应用
- 智能手表眼镜,如 "iWatch"
- 用于军事装备和特殊装置窗口的装甲防护蓝宝石玻璃
- 蓝宝石板作为车辆的防弹装甲元件
- 个人保护视口
- 内假体
- 防护外壳和穹顶
蓝宝石有 3 个主要平面。R 平面、C 平面和 A 平面(也有 M 平面):
C 平面蓝宝石衬底
在制造 LED 时,C 平面(0001-orientation)蓝宝石抛光基底用于生长氮化镓和其他 III-V 及 II-VI 化合物。其他应用还包括红外探测器、碲化镉汞、晶圆载体和普通光学器件。
材料 | Czochralski 生长蓝宝石(>=99.995% 高纯度单晶 Al2O3)。 | |
表面方向 | C 平面(0001)表面方向,也称为 0 度,偏移 M(1-100)0.2°、0.3°。可提供其他偏置。 | |
结晶度 | 无肉眼可见的滑脱、 孪生结构、系属结构或 晶体缺陷 | |
外径 | 50.8mm ± 0.1mm、76.2mm ± 0.25mm、100.0mm ± 0.4mm、150.0mm ± 0.5mm | |
典型厚度 | 500μm ± 10μm,430μm ± 10μm,330μm ± 15μm | |
典型表面平整度 | <25μm, depending on thickness | |
典型的表面弯曲度 | <25μm, depending on thickness | |
典型表面锥度 | <25μm, depending on thickness | |
主定位边长度 | 16mm ± 1mm, 22mm ± 1mm, 32.5mm ± 1mm | |
主定位边位置 | 与 M 轴平行,0.2° 以内 | |
边缘 | 基底的边缘经过磨光处理。 | |
正面表面处理 | A smooth, polished surface finish suitable for epitaxy. No visible scratches, pits, dimples or contamination allowed. Ra typically <0.20nm. | |
背面表面处理 | 取决于晶圆是单面抛光还是双面抛光。SSP:精细研磨,Ra 通常为0.4至1.5μm。DSP:抛光。 | |
备注 | 还可供应其他晶向,包括 R 平面(1-10 2)、A 平面(1-12 0)和 M 平面(1-10 0)。 |
R 平面蓝宝石晶圆
R 平面蓝宝石(1-102)与 C 平面呈 57.6°,是半导体、微波和压力传感器应用中首选的硅基蓝宝石材料。蓝宝石硅晶圆的典型应用包括:
- 制造有源顶部硅基器件
- 制造顶部激光设备
- 对 SOS 晶圆进行背面抛光,以便在硅面制造光学器件
- 蚀刻掉硅面,将蓝宝石用作 SEMI 标准晶圆或晶圆载体
材料 | Czochralski 生长蓝宝石(>=99.995% 高纯度单晶 Al2O3)。 | |
表面方向 | R 平面(1 1 0 2)表面定向。表面方向不超过 2°。可提供偏移量。 | |
结晶度 | 无肉眼可见的滑脱、 孪生结构、系属结构或 晶体缺陷 | |
外径 | 50.8mm ± 0.1mm、76.2mm ± 0.25mm、100.0mm ± 0.4mm、125.0mm ± 0.4mm、150.0mm ± 0.5mm | |
标准厚度 | 625μm ± 10μm,500μm ± 10μm,430μm ± 10μm,330μm ± 15μm | |
典型表面平整度 | <25μm, depending on thickness | |
典型的表面弯曲度 | <25μm, depending on thickness | |
典型表面锥度 | <25μm, depending on thickness | |
主定位边长度 | 16mm ± 1mm, 22mm ± 1mm, 32.5mm ± 1mm, 42.5mm ± 2.5mm | |
主定位边位置 | 与 c 轴在 r 平面上的投影成 45° ± 2° | |
边缘 | 基底的边缘经过磨光处理。 | |
正面表面处理 | 光滑的抛光表面适合外延。不允许有明显的划痕、凹坑、凹痕或污染。Ra 通常 < 0.20nm。 | |
背面表面处理 | 取决于晶圆是单面抛光还是双面抛光。SSP:精细研磨,Ra 通常为0.4至1.5μm。DSP:抛光。 | |
备注 | 还供应其他晶向,包括 A 面(1 1 -2 0)、C 面(0 0 0 1)和 M 面(1 -1 0 0)。 |
A 平面蓝宝石晶圆
A 平面蓝宝石衬底适用于需要均匀介电常数和高绝缘特性的混合微电子应用。这种取向还可用于生长高Tc超导体。埃级的表面处理可实现混合模块的细线互连。
材料 | Czochralski 生长蓝宝石(>=99.995% 高纯度单晶 Al2O3)。 | |
定向 | A 平面(1 1 -2 0)表面方向,也称为 90 度。 表面方向在 0.3 度以内。可提供其他切面。 | |
结晶度 | 无肉眼可见的滑脱、 孪生结构、系属结构或 晶体缺陷 | |
外径 | 50.8mm ± 0.1mm、76.2mm ± 0.25mm、100.0mm ± 0.4mm、150.0mm ± 0.5mm | |
厚度 | 500μm ± 10μm,430μm ± 10μm,330μm ± 15μm | |
表面平整度 | <25μm, depending on thickness | |
表面弯曲度 | <25μm, depending on thickness | |
表面锥度 | <25μm, depending on thickness | |
主定位边长度 | 16mm ± 1mm, 22mm ± 1mm, 32.5mm ± 1mm | |
主定位边位置 | 与 C 轴平行 <0 0 1>0.2°以内 | |
边缘 | 基底的边缘经过磨光处理。 | |
正面表面处理 | 光滑的抛光表面适合外延。不允许有明显的划痕、凹坑、凹痕或污染。Ra 通常 < 0.20nm。 | |
背面表面处理 | 取决于晶圆是单面抛光还是双面抛光。SSP:精细研磨,Ra 通常为0.4至1.5μm。DSP:抛光。 | |
备注 | 还供应其他晶向,包括 R 面(1-1 0 2)、C 面(0 0 0 1)和 M 面(1-1 0 0)。 |
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