Recuit

En raison de son large éventail d'utilisations, le recuit des plaquettes peut durer de quelques minutes à plus d'une journée. Dans les applications de traitement Lermique rapide/recuit (RTP/A), l'ensemble du processus dure rarement plus de quelques minutes, alors que pour densifier des films ou coller des plaquettes, les plaquettes peuvent rester dans le four pendant plus d'une journée.

Capacités de recuit des tranches de silicium du SVM :

• Recuit à l'azote : De l'azote pur circule dans la chambre contenant les plaquettes. Une fois la chambre remplie d'azote gazeux, le système est chauffé à ~1100°C -1300°C pendant 4 heures. L'utilisation d'azote pur permet d'éviter toute croissance indésirable d'oxyde à la surface des plaquettes pendant le recuit.
• Recuit au gaz de formage : Ce procédé est identique au recuit à l'azote. Au lieu d'utiliser de l'azote pur, le recuit au gaz de formage utilise un mélange de ~90% à 96% d'azote et de ~4% à 10% d'hydrogène. Ce mélange est obtenu par craquage Lermique de l'ammoniac. L'utilisation de l'ammoniac permet un contrôle plus précis de la concentration d'hydrogène dans le gaz de formage.
• Recuit Lermique rapide : Ce procédé consiste à chauffer une seule plaquette à la fois afin d'en modifier les propriétés électriques. Les plaquettes peuvent être chauffées afin d'activer les dopants, de modifier les interfaces film-film ou film-substrat, de densifier les films déposés, de modifier l'état des films cultivés, de réparer les dommages causés par l'implantation d'ions, de déplacer les dopants ou de les faire passer d'un film à un autre ou d'un film au substrat de la plaquette.