退火

由于用途广泛，晶圆退火需要的时间从几分钟到一天多不等。在快速热加工/退火（RTP/A）应用中，整个过程很少超过几分钟，而要使薄膜致密或粘合晶圆，晶圆在熔炉中的时间可能超过一天。

SVM 的晶圆退火能力：

• 氮气退火：纯氮气流经装有晶圆的腔室。一旦腔室充满氮气，系统就会被加热到 ~1100°C -1300°C，持续长达 4 小时。使用纯氮可防止退火过程中晶圆表面出现任何不必要的氧化物生长。
• 成型气体退火：该工艺与氮气退火相同。成型气体退火使用的是 ~90% - 96% 氮气和 ~4% - 10% 氢气的混合物，而不是纯氮气。这种气体是通过热裂解氨得到的。使用氨气可以更精确地控制成型气体中的氢浓度。
• 快速热退火：该工艺一次加热一个晶片，以影响其电气特性。对晶圆进行加热可激活掺杂剂、改变薄膜与薄膜或薄膜与晶圆基底的界面、使沉积薄膜致密化、改变生长薄膜的状态、修复离子注入造成的损坏、移动掺杂剂或将掺杂剂从一层薄膜移入另一层薄膜，或从一层薄膜移入晶片基底。