SVM区熔晶圆样品规格:

  • 区熔晶圆
  • 直径:50mm, 76mm, 100mm, 125mm, 150mm, 200mm
  • 类型/掺杂剂:N型/磷、P型/硼、本征型
  • 晶向:<100>, <110>, <111>
  • 电阻率: <5 ohm-cm 至 >10,000 ohm-cm – SVM可供应多种电阻率范围的区熔晶圆,请联系SVM,让我们为您查看是否有您所需要的产品规格。
  • 厚度:可提供与直径对应的SEMI标准厚度的晶圆产品,并且可根据需求提供定制厚度的晶圆产品。
  • 切面: 1 / SEMI标准 – 决于特定直径的SEMI标准。
  • TTV: < 5μm
  • 正面:抛光
  • 背面:蚀刻或抛光–根据其他项目规范,两者均可。

区熔晶圆制造

区熔(FZ)晶圆是一种替代直拉法(CZ)晶圆的产品,纯度极高。这些晶圆杂质浓度低、耐高温能力强。区熔(FZ)晶圆的优良特性使其在各种应用中比直拉法(CZ)晶圆更具优势。悬浮区熔法(FZ)生长过程开始于一根缓慢旋转的硅棒和加热线圈。当加热线圈沿着硅棒移动时,硅棒的末端被部分融化。当硅重新凝固时,当加热线圈继续旋转并沿硅棒移动时,晶体缺陷会留在熔化的区域。在整个硅棒通过加热线圈并添加掺杂物后,冷却并切片。整个生长过程必须在真空中进行,或者在只包含惰性气体的环境中进行,从而使硅棒在污染最小的环境中生长。

根据最终用户的应用需求,在生长过程中,可以对硅棒进行正掺杂(P型)、负掺杂(N型)或完全不掺杂(本征型)。FZ硅棒的高纯度意味着硅具有最小的碳和氧污染,以及最小的氮含量,以控制硅棒内的微小缺陷。它们的特性允许更有效的掺杂过程,有时产生的电阻率测量值可达50,000 ohm-cm。

区熔晶圆通常用于制造离散式功率器件、高效太阳能电池、射频(RF)芯片和光学产品。这些晶圆在高温应用中也很普遍,因为氧和碳等元素在较高温度下不太可能变得活跃并损坏晶圆。

SVM供应直径从50mm至200mm的区熔晶圆。本征型晶圆也可根据具体需求提供定制化产品。

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