Low-K (低介电常数) 薄膜

Low-κ (低介电常数)薄膜通常用作绝缘体,因为它们能够防止集成电路(IC)上的信号串扰。与二氧化硅相比,低介电常数可实现更快的运行速度和在单个芯片中容纳更多元件。 

典型Low-κ应用材料生成方法:

Black Diamond I, II& III

由应用材料公司生产

以下列出了三代Black Diamond薄膜:

1. 一代Black Diamond(也称为BD1)(k~3.0),是90/65nm节点的行业标准。制备纳米级多孔Low-k薄膜分为两步,包括PECVD沉积有机硅玻璃“Backbone”和热惰性有机相,然后通过紫外线(UV)固化,去除惰性相,从而诱发多孔性,重组和强化剩余的氧化硅基体,以形成最终的纳米级多孔薄膜。较小的平均孔径和紧密的孔径分布消除了对孔隙密封的需要。

2. Black Diamond II (也称为BD2)纳米级多孔Low-k薄膜是45/32nm铜/低介电常数互连的行业标准,其K值约为2.5。

3. 下一代 Black Diamond III(也称为BD3)薄膜将这项业界领先的技术扩展至超低k(ULK)薄膜(k~2.2),可扩展至22nm及以下,并提高器件速度。它还可赋予了新兴先进封装方案所需的机械强度(硬度和弹性)。该薄膜表现出优异的防潮性能、在蚀刻和去除光刻胶后具有稳定的K值以及优异的机械强度。

化学式:SiCOH

Κ= 2.2– 3.0

这种Low-κ薄膜是通过将-CH3引入二氧化硅衬底来制备复合电介质材料SiOC:H。

这是使用接近室温的化学气相沉积(CVD)技术,以有机硅烷前驱体、氧气和一氧化二氮代替过氧化氢作为氧化剂制备的。

Black Diamond低介电常数涂层是有益的,因为衬底将能够保持与氧化硅相同的热机械性能,且开关速度更快,绝缘性能更好。

Not finding what you’re looking for?

如果您有任何疑问或希望询求一份产品报价,请联系我们的销售团队成员。

联系我们库存系列

Anywhere in the Bay Area within 4 hours.

In the United States within 1 day.

Internationally within 3 days.