실리콘밸리 마이크로일렉트로닉스는 브로드밴드, I-Line, 248nm, 193nm, e-빔, 양극, 음극, 습식/건식 저항성을 포함한 포토레지스트(photoresist) 제품들의 종합 목록을 제공합니다. SVM은 모든 웨이퍼 직경의 패터닝와 엣칭을 위한 포토레지스트 솔루션을 제공합니다. 프로젝트 설계 규칙은 특정 포토레지스트 타입/성능을 지정합니다. SVM은 CMOS, MEMS, TSV, FEOL, BEOL 등과 관련된 프로젝트들을 처리합니다. 이를 통해 우리는 이러한 응용 프로그램과 다른 프로그램을 위한 다양한 유형의 포토레지스트 포트폴리오를 만들 수 있었습니다. SVM은 테스트 차량 애플리케이션, 엔지니어링 쇼트-루프 플로우 작업, 희생 보호 레이어로 사용하기 위한 하드-베이크 블랭킷 PR 적용, 엣칭 연구 등을 위해 웨이퍼를 패턴닝한 오랜 역사를 가지고 있습니다. SVM은 다양한 애플리케이션에 대해 스핀/스프레이-온(spray-on)으로 블랭킷 저항을 제공합니다. 특정 프로젝트에 대한 문의는 (408) 844-7100으로 연락해주시거나, [email protected]으로 이메일을 보내 주십시오.

SVM 포토레지스트 사용가능성:

I-Line

I-Line은 자외선 스펙트럼에서 365nm로 민감하게 반응하는 일반 용도의 저항 필름입니다. I-Line 포토 저항 제품은 주로 G(435nm), H(405nm) 라인에 대한 광감도를 가진 광대역 저항인 경우가 많지만, 스펙트럼 민감도 내에서 단색적으로 노출될 수도 있습니다. 이 필름은 정밀한 노출 제어를 위한 접착력과 도금 특성이 우수해, MEMS와 범핑을 비롯한 다양한 웨이퍼 레벨 포장 공정에 활용하기에 좋습니다.

193nm, 248nm 심층-자외선 (DUV)

보다 더 진보된 리소그래피 애플리케이션을 위해, SVM은 DUV 248nm KrF 및 193nm ArF 포토레지스트 제품을 제공합니다. 제품은 반사 방지 코팅이 적용되거나 적용되지 않을 수 있습니다.

두꺼운 포토레지스트와 사진 이미지화 가능한 폴리이미드

SVM은 두꺼운 포토레지스트와 수백 미크론까지에 달하는 폴리이미드를 제공합니다. 해당 제품은 일반적으로 MEMS와 WLP 응용 프로그램에 사용됩니다.

포토레지스트 패터닝(패턴화) 프로세스:

  1. 기판 준비 – 기판이 세척된 다음 탈수 베이크나 접착 촉진제를 첨가하여, 남은 공정을 위한 웨이퍼를 준비합니다.
  2. 포토레지스트 스핀 코팅 – 포토레지스트와 솔벤트(Solvent)의 혼합물로 만들어진 얇고 균일한 코팅이 스핀 코팅을 통해 증착됩니다. 필름은 웨이퍼가 회전하는 동안(동적 분사)이나 회전하지 않는 동안(정적 분사)에도 증착됩니다.
  3. 프리베이크 – 스핀 코팅 후에도 필름의 20-40%가 여전히 솔벤트(Solvent)입니다. 프리베이크를 추가하면 포토레지스트가 건조되고 필름이 안정화됩니다. 이 단계는 두께를 줄이고 필름의 특성을 변화시키며 접착력을 향상시키며 입자 오염에 덜 취약하게 만듭니다.
  4. 노출 – 빛에 노출시켜서, 웨이퍼 패턴을 만들기 위한 필름의 용해도를 변경합니다. 이 노출에는 세 가지 형태가 있습니다:
    • 접촉 – 마스크가 포토레지스트와 접촉된 상태입니다.
    • 근접 – 마스크가 포토레지스트보다 약 15~20μm 높은 상태입니다.
    • 투영 – 거울이 마스크에서 웨이퍼 표면으로 빛의 슬릿을 투사합니다. 정확한 노출을 결정하기 위하여, 엔지니어는 기판의 광도, 슬릿 크기, 스핀 속도를 측정해야 합니다. 투사 노출에는 두 가지 버전이 있습니다:
      1. 스캐닝 – 컴퓨터가 웨이퍼 표면을 스캔하고 조명이 움직여 정확한 영역을 노출합니다.
      2. 스텝과 반복 – 웨이퍼의 작은 부분이 빛에 노출됩니다.
  5. 노출 후 베이크 – 이 단계는 일반적으로 고해상도(<1 micron)의 웨이퍼에 적용됩니다. 대부분 다른 상황에서는 기판이 노출에서 발달로 직행합니다.
  6. 발달 – 웨이퍼는 화학적인 헹굼을 통해 마스크에 남아 있는 엣칭을 노출시킵니다.
  7. 스트립 포토레지스트 – 화학적 제거나 엣칭을 통해, 웨이퍼에서 최종 패턴을 생성하기 위해 남아 있는 모든 포토레지스트를 제거합니다.

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