SVM可提供全系列的光刻胶产品列表,包括宽带隙、I-Line、248nm、193nm、电子束、正性、负性、湿法和干法光刻胶等。SVM为所有直径晶圆的图案化&蚀刻工艺提供光刻胶解决方案。项目设计规则决定了特定的光刻胶类型/性能。SVM有能力处理与CMOS、MEMS、TSV、FEOL、BEOL等相关的项目。这使我们能够为这些和其他应用创建大量的光刻胶类型组合。 SVM在为测试晶圆绘制图案、设计短环流通路、应用坚膜无图形光刻胶作为牺牲性保护层、蚀刻研究等方面有着悠久的历史。SVM通过旋转法或喷涂法为一系列的应用制备无图形光刻胶。有关具体项目的问题,请致电(408)844-7100联系我们或发送电子邮件至 [email protected]

SVM提供的光刻胶种类:

I-Line光刻胶

I-Line是一种通用型抗蚀剂薄膜,在紫外光谱中敏感于365nm处。I-Line光刻胶产品通常是对G线(435nm)和H线(405nm)具有光灵敏度的宽带光刻胶,但也可以在其光谱灵敏度内进行单色曝光。这种薄膜具有优良的附着力和电镀特性,可以精确控制曝光,因此非常适合用于MEMS和晶圆级封装工艺,如Bumping工艺。

193nm、248nm深紫外(DUV)光刻胶

对于更先进的光刻应用,SVM提供DUV 248nm KrF和193nm ArF光刻胶产品(产品可涂有或不涂防反射涂层)。

厚光刻胶和光学成像级聚酰亚胺

SVM可以提供厚达几百微米的光刻胶和聚酰亚胺。这些产品通常用于MEMS和WLP应用。

光刻胶图案化工艺:

  1. 准备衬底清洗衬底,然后通过去水烘烤和/或添加附着力促进剂,以便为剩余工艺准备晶圆。
  2. 光刻胶旋涂通过旋涂沉积法制备成分为光刻胶和溶剂混合物的薄而均匀的涂层。该薄膜是在晶圆旋转时(动态点胶)或不旋转时(静态点胶)沉积的。
  3. 前烘在旋涂之后,20-40%的薄膜仍然是溶剂状态。添加前烘步骤可使光刻胶干燥并使薄膜稳定。这个步骤减少了薄膜的厚度,改变了薄膜的特性,提高了附着力,并使其不容易受到颗粒污染。
  4. 曝光这会改变薄膜的溶解度,以便通过将其暴露在光线下对晶圆进行图案化。目前有3种形式的曝光:
    • 接触式曝光掩膜与光刻胶接触。
    • 接近式曝光掩膜高于光刻胶约15-20μm
    • 投影式曝光曝光系统通过一个狭缝式曝光带将光从掩模投射到晶圆表面。为了确定正确的曝光,工程师要测量光的强度、狭缝的大小和衬底的旋转速度。投射式曝光有两种方式:
      1. 扫描式计算机扫描晶圆表面,然后光在周围移动以曝光正确的区域。
      2. 步进式晶圆的小部分区域暴露在光线下。
  5. 曝光后烘这个步骤一般是针对具有高分辨率(<1μm)的晶圆。在大多数其他情况下,衬底直接从曝光到显影。
  6. 显影晶圆经过化学冲洗,以暴露出掩膜留下的蚀刻。
  7. 剥离光刻胶化学去除或蚀刻去除所有剩余的光刻胶,以便在晶圆上生成最终图案。

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