(408) 844-7100
MENÜ
MENÜ
Produkte
Silizium-Wafer
300mm-Wafer
200mm-Wafer
Wafer mit kleinem Durchmesser
Beidseitig polierte Wafer
Ultraflache Wafer
Float-Zone-Wafer
Niedrige Resistivität
N-Typ-Wafer
Münzrollen-Wafer
Silizium-Barren
Silizium-auf-Isolator
Dick- und Dünnschicht-SOI
Hohlraum-SOI (C-SOI)
Nicht-Silizium-Materialien
Glas
Saphir
Verbindungs-Halbleiter
Siliziumkarbid
Siliziumkarbid (4H & 6H)
Siliziumkarbid-Aufbereitung
Wafer-Schichten & Verarbeitung
Benutzerdefinierte Schicht
Oxid-Schichten
Siliziumnitrid-Schichten
Abgelagerte Metalle
Fotolack
Poly-Silizium
TEOS
Low-K-Filme
Siliziumkarbid
Chemische Gasphasenabscheidung
Verarbeitung
Glühen
Implantat
Polieren & Wiederverwertung
Schneiden
Verkleinerung/Laserabbau
Epitaxie-Wafer-Service
Lasermarkierung
Lithografie
Wafer-Ausdünnung
Inventar
Bildung
Halbleiter-Glossar
Herstellungsprozess für Silizium-Wafer
Unser Unternehmen
Unser Unternehmen
Verantwortungsvolle Beschaffung von Mineralien
Kontaktieren Sie uns
Startseite
/
Industrienachrichten
/
Japans Silizium-Wafer-Nachzügler wenden sich für Expansion an China
/
herunterladen (11)
herunterladen (11)
(408) 844-7100 