Implant

Au cours du processus d'implantation des plaquettes, les ions sont accélérés dans un champ électrique, générant un faisceau qui est projeté sur la plaquette. Cette méthode est courante car elle permet un dosage très précis, ce qui se traduit par une localisation et une prsurondeur plus exactes des particules sur la plaquette cible. L'implantation ionique est un processus à basse température.

Le processus commence par une source d'ions qui envoie des particules dans un faisceau perpendiculaire à la plaquette cible (1). Lorsque les plaquettes quittent la source d'ions, une série d'aimants élimine toutes les particules en excès qui n'ont pas leur place (2).

Une fois que le faisceau de particules quitte la source d'ions, des lentilles réparties dans l'ensemble du système veillent à ce que le faisceau reste focalisé sur la plaquette cible (3).

Après que le faisceau d'ions a quitté la source et est passé par la première filtration magnétique, un processus appelé séparation de masse utilise un autre champ magnétique pour faire tourner les particules de 90° exactement (4). À ce stade, les particules sont filtrées si leur poids atomique ne correspond pas exactement à celui du champ magnétique. Les impuretés sont ainsi éliminées.

Les particules sont ensuite acheminées vers la voie d'accélération (5). Dans le couloir d'accélération, entre 10 et 500 keV (kiloélectron-volts), selon la prsurondeur souhaitée, les faisceaux d'ions sont accélérés à des vitesses suffisantes pour implanter les particules sur la plaquette cible. Selon l'application, des vitesses aussi faibles que 1 keV et aussi élevées que 5 meV (mégaélectronvolts) sont utilisées pour accélérer les particules dans le faisceau d'ions. À leur vitesse maximale, les particules de bore d'un faisceau d'ions accéléré à 200 keV peuvent se déplacer à des vitesses allant jusqu'à 2 000 000 m/s.

Lorsque le faisceau entre en contact avec la plaquette (6), seuls 5 % environ des ions se lient en raison de la vitesse élevée du faisceau d'ions. La plaquette est ensuiterecuite à l'adresse pour solidifier les liaisons .

Capacités d'implantation de plaquettes de SVM :

• Diamètres : 25 mm à 300 mm
• Solutions d'implants à faible, moyenne et forte dose.
• Gamme d'énergie de l'implant : 1KeV à 3 000KeV.
• Peut fournir des implants sur des substrats de plaquettes nus ou à motifs.
• Nous pouvons accepter des prototypes en petite quantité et des quantités de production en grande quantité. (L'implant est un procédé de fabrication en petites séries qui tend à être plus coûteux que d'autres services standard).