웨이퍼 임플란트 공정에서, 이온은 전기장에서 가속되고 웨이퍼를 향해 쏘는 빔을 생성합니다. 이 방법은 매우 정밀하게 투여할 수 있어, 대상 웨이퍼의 입자 위치와 깊이를 더 정확하게 합니다. 따라서 자주 쓰이는 방법이 되었습니다. 이온 삽입술은 저온에서 진행되는 공정입니다.

이 과정은 이온 소스(source)가 대상 웨이퍼(1)에 수직적인 빔으로 입자를 보내는 것으로 시작됩니다. 웨이퍼가 이온 소스를 벗어날 때 일련의 자석들이 초과된 입자(2)를 제거합니다.

입자 빔이 이온 소스를 벗어나면 전체 시스템의 렌즈가 빔으로 하여금 대상 웨이퍼(3)에 초점을 맞추도록 합니다.

이온 빔이 소스(source)에서 벗어나, 첫 번째 자기 여과 과정을 거치게 됩니다. 이는 질량 분리라고 불리는 과정으로서, 입자를 정확히 90°(4) 회전시키기 위해 또 다른 자기장을 사용합니다. 이 단계에서, 입자는 원자량이 자기장의 무게와 정확히 일치하지 않을시 걸러지게 됩니다. 이 단계에서 모든 불순물들이 걸러지게 됩니다.

다음으로, 입자들은 가속도로로 전진합니다(5). 가속 레인에서는 원하는 깊이에 따라, 10 ~ 500keV(킬로전자 볼트) 사이에서 이온 빔이 목표 웨이퍼에 입자를 이식할 수 있도록 빠른 속도로 가속됩니다. 애플리케이션의 용도에 따라 최저 1 keV에서 최대 5 meV(메개렉트론 볼트)의 속도가 이온 빔의 입자를 가속합니다. 최대 속도 200 keV까지 가속되는 이온 빔의 붕소 입자가 절정에 이르렀을때, 2,000,000 m/s의 속도로 움직일 수 있습니다.

빔이 웨이퍼(6)와 접촉한 후에는 이온 빔의 빠른 속도로 인해 약 5%의 이온만 결합하게 됩니다. 그런 다음 웨이퍼는 어닐링을 통해 결합을 굳힙니다.

SVM의 웨이퍼 임플란트 기능:

  • 지름: 25mm ~ 300mm
  • 저용량, 중용량 및 고용량 임플란트 용액.
  • 임플란트 에너지 범위: 1KeV ~ 3,000KeV.
  • 베어와 패턴 웨이퍼 기판 모두에 임플란트를 제공할 수 있습니다.
  • 소량 프로토타입과 대량 생산량을 수용할 수 있습니다. (임플란트는 소규모-배치 프로세스로써다른 표준 서비스보다 비용이 많이 듭니다.)