N型ウエーハ
純粋なシリコンは導電性がないため、半導体として使われることはほとんどありません。純粋なシリコンを実用的な半導体にするためには、制御された量の不純物を加えなければなりません。不純物の添加によって導電性が変化し、シリコンは半導体になります。不純物を添加するプロセスはドーピングと呼ばれ、不純物はドーパントと呼ばれます。ドーピング後、固有材料は外部材料になり、事実上、ドーピング後にのみ、材料は使用可能になります。
結晶構造を変えずに不純物原子をシリコンに添加すると、N型材料が生成されます。リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)のように、価電子帯に5個の電子を持つ原子もあります。シリコンに不純物をドーピングしても、結晶構造や結合プロセスは変化してはなりません。不純物原子の余分な電子は共有結合に関与しないので、自由に動き回ることができます。シリコンに電流を流すのに十分な自由電子を作るには、不純物はごく少量です。N型シリコンは良導体です。電子は負の電荷を持つため、N型と呼ばれます。次の図は、不純物原子の添加によるシリコン結晶の変化を示しています。
N型シリコンは導電性があるため、パワーデバイス、ダイオード、トランジスタなど多くの用途に広く使用されています。
直径:76mm/100mm/125mm | 直径:200mm | 直径:300mm |
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シリコンウェハー | シリコンウェハー | シリコンウェハー |
タイプ/ドーパントN - Phos/Sb/As | タイプ/ドーパントN - Phos/Sb/As | タイプ/ドーパントN - Phos/Sb/As |
オリエンテーション: <100> | オリエンテーション: <100> | オリエンテーション: <100> |
抵抗率:0~100Ω・cm | 抵抗率:0~100Ω・cm | 抵抗率:0~100Ω・cm |
厚さ381μm/525μm/625μm +/- 20μm | 厚さ:725μm±20μm | 厚さ:775μm±20μm |
TTV: < 10μm | TTV: < 5μm | TTV: < 5μm |
フラット:1または2/ SEMI規格 | ノッチ:SEMI規格 | ノッチ:SEMI規格 |
片面研磨 | 片面研磨 | 両面研磨 |
Particle (LPD): <=20@>=0.3um | Particle (LPD): <=50@>=0.2um | Particle (LPD): <=50@>=0.2um |
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