N型ウエーハ

純粋なシリコンは導電性がないため、半導体として使われることはほとんどありません。純粋なシリコンを実用的な半導体にするためには、制御された量の不純物を加えなければなりません。不純物の添加によって導電性が変化し、シリコンは半導体になります。不純物を添加するプロセスはドーピングと呼ばれ、不純物はドーパントと呼ばれます。ドーピング後、固有材料は外部材料になり、事実上、ドーピング後にのみ、材料は使用可能になります。

結晶構造を変えずに不純物原子をシリコンに添加すると、N型材料が生成されます。リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)のように、価電子帯に5個の電子を持つ原子もあります。シリコンに不純物をドーピングしても、結晶構造や結合プロセスは変化してはなりません。不純物原子の余分な電子は共有結合に関与しないので、自由に動き回ることができます。シリコンに電流を流すのに十分な自由電子を作るには、不純物はごく少量です。N型シリコンは良導体です。電子は負の電荷を持つため、N型と呼ばれます。次の図は、不純物原子の添加によるシリコン結晶の変化を示しています。

N型シリコンは導電性があるため、パワーデバイス、ダイオード、トランジスタなど多くの用途に広く使用されています。

直径:76mm/100mm/125mm

直径:200mm

直径:300mm

シリコンウェハーシリコンウェハーシリコンウェハー
タイプ/ドーパントN - Phos/Sb/Asタイプ/ドーパントN - Phos/Sb/Asタイプ/ドーパントN - Phos/Sb/As
オリエンテーション: <100>オリエンテーション: <100>オリエンテーション: <100>
抵抗率:0~100Ω・cm抵抗率:0~100Ω・cm抵抗率:0~100Ω・cm
厚さ381μm/525μm/625μm +/- 20μm厚さ:725μm±20μm厚さ:775μm±20μm
TTV: < 10μmTTV: < 5μmTTV: < 5μm
フラット:1または2/ SEMI規格ノッチ:SEMI規格ノッチ:SEMI規格
片面研磨片面研磨両面研磨
Particle (LPD): <=20@>=0.3umParticle (LPD): <=50@>=0.2umParticle (LPD): <=50@>=0.2um

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