N 型晶片
纯硅不导电,因此很少用作半导体。为了将纯硅制成实际可用的半导体,必须添加一定量的杂质。杂质的加入会改变硅的导电性,使其成为半导体。向本征材料或纯材料中添加杂质的过程称为掺杂,杂质称为掺杂剂。掺杂后,本征材料就变成了外征材料。实际上,只有在掺杂之后,材料才能变得可用。
在不改变晶体结构的情况下向硅中添加杂质原子,就会产生 N 型材料。有些原子的价带中有五个电子,如磷(P)、砷(As)和锑(Sb)。在硅中掺入任何一种杂质都不会改变晶体结构或成键过程。杂质原子的额外电子不参与共价键,因此可以自由移动。只需极少量的杂质就能产生足够的自由电子,使电流流过硅。N 型硅是一种良好的导体。电子带有负电荷,因此被称为 N 型。下图显示了添加杂质原子后硅晶体的变化。
由于 N 型硅具有导电性能,它被广泛应用于功率器件、二极管和晶体管等许多领域。
直径:76 毫米/100 毫米/125 毫米 | 直径:200 毫米 | 直径:300mm |
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硅晶圆 | 硅晶圆 | 硅晶圆 |
类型/掺杂剂:N - 磷/锑/砷 | 类型/掺杂剂:N - 磷/锑/砷 | 类型/掺杂剂:N - 磷/锑/砷 |
定向: <100> | 定向: <100> | 定向: <100> |
电阻率:0-100 ohm-cm | 电阻率:0-100 ohm-cm | 电阻率:0-100 ohm-cm |
厚度:381μm/525μm/625μm +/- 20μm381μm/525μm/625μm +/- 20μm | 厚度:725μm +/- 20μm | 厚度:775μm +/- 20μm |
TTV: < 10μm | TTV: < 5μm | TTV: < 5μm |
定位边:1 或 2 个/SEMI 标准 | 凹槽:SEMI 标准 | 凹槽:SEMI 标准 |
单面抛光 | 单面抛光 | 双面抛光 |
Particle (LPD): <=20@>=0.3um | Particle (LPD): <=50@>=0.2um | Particle (LPD): <=50@>=0.2um |
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