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当社では、最高1,100℃まで対応可能な窒素ガスおよびフォーミングガスのアニールサービスを提供しています。
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シリコン、SOIをはじめ、GaAs、GaN、InP、SiGe、SiCなどの特殊基板のウェハーインプラントサービスを提供しています。
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ターゲットスラリーを特徴とするCMPプロセスを活用することで、さまざまな素材に対して高品質な研磨結果を提供することができます。
ダイシング
様々な技術を組み合わせることで、お客様の200mmおよび300mmウェーハの再生に成功しました。
ウェハー・ダウンサイジング/レーザー・カットダウン
高品質な完成品をお届けするため、ウェハーのサイズを慎重に変更する低応力コアリング法を採用しています。
エピタキシャルウェハーサービス
シリコン、SOI、SOSウェハーに対応可能な単層、二層、三層のエピタキシャルソリューションを提供いたします。
レーザーマーキング
SVMは、既存のウェハーやダイにマーキングするクイックターンサービスをお探しの方に最適です。
リソグラフィ
当社が供給するブランケット・フォトレジストの種類や、コンタクト、電子ビーム、ステッパー・リソグラフィの能力について詳しくご紹介します。
ウェハー薄片化
シリコンバレーマイクロエレクトロニクスは、様々な種類の基板や材料の裏面または表側の薄化に、迅速で信頼性の高いサービスを提供しています。
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