에피택셜 레이어 증착의 경우, 어떻게 증착할지 결정하기 전에 애플리케이션에 필요한 EPI 레이어 유형을 결정하는 것이 중요합니다. 호모에피택시(Homoepitaxy)는 결정성 필름이 기판과 같은 물질로 자랄 때입니다. 헤테로에피택시(Heteroepitaxy)는 더 흔하며, 기판과 다른 물질로 만들어진 결정막을 성장시킵니다. EPI 층의 종류에 따라, 세 가지 방법으로 증착할 수 있습니다.

액상 에피택시(LPE)

액상 에피택시는 복합 반도체 장치 제조에서 일반적입니다. 이 방법은 보통 이종축(heteroepitaxial) 필름을 증착하기 때문에, 기판과 필름의 팽창 계수가 모두 비슷한지 확인해서 손상을 방지하는 것이 중요합니다.

이 과정은 산화물 필름의 성장을 방지하기 위해, 산소가 없는 환경에서 이루어집니다. 따라서 웨이퍼는 진공 상태이거나 수소와 질소 가스가 있는 용광로에서 이루어집니다. 그 과정은 용융을 만드는 것으로 시작되는데, 용융은 에피택시얼 필름을 만드는 데 사용됩니다. 용융은 저용융점(500°C 이하) 용매 금속에 혼합된 도팬트와 필름 분자로 구성됩니다. 용해 시 발생하는 열이 웨이퍼 표면을 부분적으로 용해시켜 결함을 제거한 후, 전체 시스템이 가열됩니다. 웨이퍼는 약 1200K까지 가열된 후 매우 천천히 냉각됩니다. 냉각 속도에 따라 필름의 품질과 특성이 결정되므로 이를 정밀하게 제어하는 것이 중요합니다. 이것은 농도 조절이 쉬운 덕분에 도핑된 필름을 증착하는데 가장 좋습니다.

분자 빔 에피택시(MBE)

분자빔 에피택시는 에피택시 층을 기판(한 번에 한 개의 원자 층씩)에 인쇄하는 얇은 필름 증착법입니다. MBE는 호모에피탈층과 이종축(heteroepitaxial)층을 모두 침전할 수 있기 때문에 매우 얇은 필름 애플리케이션에서 더 인기가 있습니다.

이 공정은 웨이퍼를 초고진공에 배치한 다음, 실리콘 기판의 경우 500°C~600°C, 갈륨 비소(GaAs) 기판의 경우 900°C~1100°C 사이에서 가열하는 것으로 시작합니다. 가열된 후, 여러 개의 빔이 삼출 세포에서 목표 웨이퍼로 분자를 발사합니다. 각 삼출 세포는 하나의 분자만을 촬영할 수 있기 때문에 각 시스템은 정확한 필름 구성을 만들기 위해, 여러 개의 빔이 필요합니다. 빔이 웨이퍼에 부딪힐 때, 분자는 고르게 섞이고 퍼져서 필름은 한 번에 원자 층씩 증착됩니다.

증기상 에피택시(VPE)

증기상 에피택시는 기판에 이질구조를 형성하기 위해 실레인(SiH4)과 프로판(C3H8)을 전구 기체로 하는 화학적 증기 증착을 사용합니다. VPE는 금속 유기 화학 증착물을 사용하여 갈륨 비소 웨이퍼에 실리콘 층을 증착하기 위해 특별히 개발되었습니다. 이 공정은 1500°C – 1650°C로 가열된 용해로에서 이루어지며, 특유의 반복성과 단순성 덕분에 광전자 및 마이크로 전자 공학에서 가장 일반적인 에피택시 성장법입니다.

SVM의 에피택시얼 웨이퍼 서비스 사양:

  • 지름: 100mm, 125mm, 150mm, 200mm, 300mm*
  • 웨이퍼 오리엔테이션: <100>, <111>, <110>
  • EPI 두께: 1µm ~ 150μm
  • 도팬트: 비소, 인, 붕소(Arsenic, Phosphorus, Boron)
  • 일반적인 저항도 범위
    • 0.01 – 1,200 ohm-cm
    • 3000 – 5,000 ohm-cm (intrinsic layers)
*300mm 에피택시는 선택된 요청에 의해서만 가능합니다. 더 자세한 사항은 저희에게 문의(contact us)해주세요.

특수 제품

  • 싱글, 듀얼 및 트리플 레이어 에피택시얼 솔루션 사용 가능
  • 선택적 에피택시얼 성장
  • 맞춤형 프로젝트를 위한 엔지니어링 솔루션
  • SOI 웨이퍼를 위한 에피택시얼 솔루션
  • 실리콘 온 사파이어(SOS)
  • 실리콘 카바이드를 위한 에피택시얼 용액
  • Si/SiGe 에피택시