Float Zone Wafer (FZ)

SVM Float Zone Wafer Probe Spezifikationen:

• FZ Silizium-Wafer
• Durchmesser: 50mm, 76mm, 100mm, 125mm, 150mm, 200mm
• Typ/Dotierstoff: N/Phosphor, P/Bor, Intrinsisch
• Orientation: <100>, <110>, <111>
• Resistivity: <5 ohm-cm to >10,000 ohm-cm – SVM can supply numerous resistivity ranges for FZ wafers, contact SVM to see if we have your specification available.
• Dicke: SEMI-Standarddicken für jeden Durchmesser verfügbar, kundenspezifische Dicken auf Anfrage erhältlich.
• Flats: 1 / SEMI Standard - je nach SEMI Standard für den gegebenen Durchmesser.
• TTV: < 5μm
• Vorderseite: Poliert
• Rückseite: Geätzt oder poliert - beides erhältlich, je nach anderen Projektspezifikationen.

Float Zone Wafer-Herstellung

Float-Zone-Wafer (FZ) sind eine Alternative zu Czochralski (CZ)-Wafern und zeichnen sich durch hohe Reinheit aus. Diese Wafer haben eine niedrige Konzentration an Verunreinigungen und hohe Temperaturbeständigkeit. Die Eigenschaften von FZ-Wafern bieten Vorteile gegenüber CZ-Wafern in verschiedenen Anwendungen. Der FZ-Wachstumsprozess beginnt mit einem Silizium-Ingot, der sich langsam dreht und durch ein Heizelement fährt. Ein Teil des Ingots wird teilweise geschmolzen, während das Heizelement entlang des Ingots bewegt wird. Während das Silizium wieder erstarrt, bleiben die Fehler im geschmolzenen Teil zurück, während das Heizelement weiter dreht und sich bewegt. Nachdem der gesamte Ingot das Heizelement durchlaufen hat und Dotierstoffe hinzugefügt wurden, wird er abgekühlt und geschnitten. Der gesamte Wachstumsprozess erfolgt entweder im Vakuum oder in einer Umgebung mit nur inerten Gasen, wodurch der Ingot in einer Umgebung mit sehr minimaler Kontamination wächst.

Der Ingot kann während des Wachstumsprozesses positiv (P-Typ), negativ (N-Typ) oder überhaupt nicht (intrinsisch) dotiert werden, je nach der Anwendung des Endverbrauchers. Der hohe Reinheitsgrad von FZ-Barren bedeutet, dass das Silizium nur minimale Verunreinigungen durch Kohlenstoff und Sauerstoff sowie minimale Mengen an Stickstoff aufweist, um Mikrodefekte im Barren zu kontrollieren. Diese Eigenschaften ermöglichen einen effizienteren Dotierungsprozess, der manchmal zu Widerstandsmessungen von bis zu 50.000 Ohm-cm führt.

Float-Zone-Wafer werden häufig bei der Herstellung von diskreten Leistungsbauelementen, hocheffizienten Solarzellen, Hochfrequenzchips (RF) und optischen Produkten verwendet. Diese Wafer sind auch bei Hochtemperaturanwendungen weit verbreitet, da Elemente wie Sauerstoff und Kohlenstoff bei höheren Temperaturen weniger wahrscheinlich aktiv werden und den Wafer beschädigen.

Silicon Valley Microelectronics bietet FZ-Wafer mit einem Durchmesser von 50 mm bis 200 mm an. Intrinsische Wafer sind auf Anfrage ebenfalls erhältlich.