フロートゾーン・ウェーハ（FZ）

SVMフロートゾーンウェハーサンプル仕様：

• FZシリコンウエーハ
• 直径：50mm、76mm、100mm、125mm、150mm、200mm
• タイプ/ドーパント：N/リン、P/ホウ素、イントリンシック
• Orientation: <100>, <110>, <111>
• Resistivity: <5 ohm-cm to >10,000 ohm-cm – SVM can supply numerous resistivity ranges for FZ wafers, contact SVM to see if we have your specification available.
• 厚さ：各直径でSEMI規格の厚さが利用可能で、ご要望に応じてカスタムの厚さも可能。
• フラット：1 / SEMI規格 - 指定された直径のSEMI規格による。
• TTV: < 5μm
• 前面：ポリッシュ仕上げ
• 裏面：エッチングまたはポリッシュ仕上げ。

フロートゾーン・ウェーハ製造

フロートゾーンウェーハ（FZ）は、CZウェーハに代わる高純ウェーハです。不純物濃度が低く、高温での使用が可能です。FZウェーハの特性は、様々な用途においてCZウェーハより優れています。FZ成長プロセスは、シリコンインゴットをゆっくりと回転させ、加熱エレメントを通過させることから始まります。発熱体がインゴットに沿って移動すると、インゴットの一部が部分的に溶融します。シリコンが再凝固する際、発熱体がインゴットに沿って回転・移動し続けるため、欠陥は溶融部分に残ります。インゴット全体が発熱体を通過し、ドーパントが添加された後、冷却され、スライスされます。成長プロセス全体は、真空中、または不活性ガスのみを含む環境で行われるため、インゴットは極めて汚染の少ない環境で成長することができます。

インゴットは、エンドユーザーの用途に応じて、成長プロセス中にプラス（P型）、マイナス（N型）、またはまったく（イントリンシック）ドープされることがあります。FZインゴットの純度が高いということは、インゴット内の微小欠陥を制御するために、シリコンの炭素や酸素の混入が最小限に抑えられ、窒素の量も最小限に抑えられているということです。その特性により、より効率的なドーピング・プロセスが可能になり、時には50,000Ω・cmに達する抵抗率測定値が得られることもあります。

フロートゾーン・ウェハーは、ディスクリート・パワーデバイス、高効率太陽電池、無線周波数（RF）チップ、光学製品の製造に一般的に使用されています。酸素や炭素のような元素が高温で活性化しにくく、ウェハーにダメージを与えにくいため、これらのウェハーは高温用途にも普及しています。

Silicon Valley Microelectronicsは、直径50mmから200mmまでのFZウェハーを提供しています。また、ご要望に応じてイントリンシックウェハーもご提供可能です。