区熔晶圆（FZ）

SVM区熔晶圆样品规格：

• 区熔晶圆
• 直径： 50mm、76mm、100mm、125mm、150mm、200mm
• 类型/掺杂剂：氮/磷，磷/硼，本征型
• Orientation: <100>, <110>, <111>
• Resistivity: <5 ohm-cm to >10,000 ohm-cm – SVM can supply numerous resistivity ranges for FZ wafers, contact SVM to see if we have your specification available.
• 厚度：每个直径都有 SEMI 标准厚度，也可根据要求定制厚度。
• 定位边：1 / SEMI 标准 - 取决于给定直径的 SEMI 标准。
• TTV: < 5μm
• 正面抛光
• 背面：蚀刻或抛光 - 均可提供，具体取决于其他项目规格。

区熔晶圆制造

区熔晶圆（FZ）是高纯度CZ晶片的替代品。这些晶片杂质浓度低，耐高温。FZ 晶圆的特性使其在各种应用中都比 CZ 晶圆更具优势。FZ 生长过程始于缓慢旋转并通过加热元件的硅锭。当加热元件沿着硅锭移动时，硅锭的一部分被部分熔化。当硅重新凝固时，随着加热元件继续旋转并沿硅锭移动，疵点会留在熔化的部分。整个硅锭通过加热元件并加入掺杂剂后，硅锭被冷却并切片。整个生长过程要么在真空中进行，要么在只含有惰性气体的环境中进行，从而使铸锭在污染极少的环境中生长。

根据最终用户的应用，硅锭在生长过程中可以正掺杂（P 型）、负掺杂（N 型）或完全不掺杂（本征）。FZ 硅锭的高纯度意味着硅锭中的碳和氧污染极少，氮含量也极少，以控制硅锭中的微缺陷。其特性使掺杂工艺更加高效，有时可测量出高达 50,000ohm-cm的电阻率。

区熔晶圆通常用于制造分立功率器件、高效太阳能电池、射频（RF）芯片和光学产品。这些晶圆在高温应用中也很普遍，因为在较高温度下，氧和碳等元素不易活跃并损坏晶圆。

SVM供应提供直径从50mm-200mm不等的区熔晶圆。也可根据要求提供本征型晶圆。