Verbindungs-Halbleiter

Verbindungshalbleiter

Verbindungshalbleiter bieten für bestimmte Anwendungen viele Vorteile gegenüber Silizium. Zum Beispiel bewegen sich Elektronen in Verbindungshalbleitern viel schneller als Elektronen in Silizium und ermöglichen so eine Hochgeschwindigkeitsverarbeitung, die über 100 Mal schneller ist als die von Silizium. Außerdem arbeiten Verbindungshalbleiter mit niedrigeren Spannungen, können Licht emittieren und wahrnehmen, Mikrowellen erzeugen und sind magnetisch empfindlich und hitzebeständig. Sie können Daten speichern, weiterleiten, übertragen und erkennen, und das mit einem Bruchteil der Energie, die für die derzeitigen Lösungen benötigt wird. Sie bieten daher eine breite Palette von Anwendungsmöglichkeiten, die die Leistung aktueller Anwendungen, die Silizium-Halbleiter verwenden, verbessern, und werden ein breites Spektrum von Anwendungen eröffnen, die von Silizium-Halbleitern nicht unterstützt werden können. Verbindungshalbleiter werden bereits in Leistungsverstärkern für Smartphones und andere drahtlose Geräte, in Lichtquellen für DVDs und Blu-rays, in LEDs, in Solarbatterien sowie in Solarzellen und Kreiselstabilisatoren in Satelliten eingesetzt, um nur einige Beispiele zu nennen. Zu den gängigen Elementen, die für Verbindungshalbleiter verwendet werden, gehören:

- Galliumarsenid (GaAs)
- Galliumnitrid (GaN)
- Indium-Phosphid (InP)
- Zinksulfid (ZnS)
- Zinkselenid (ZnSe)
- Siliziumkarbid (SiC)
- Silizium-Germanium (SiGe)