化合物半導体

化合物半導体

化合物半導体は、特定の用途においてシリコンよりも多くの利点を提供します。例えば、化合物半導体の電子はシリコンの電子よりもはるかに速く動くため、シリコンの100倍以上の高速処理が可能になります。さらに、化合物半導体は低電圧で動作し、光を放射して感知し、マイクロ波を発生させることができ、磁気的に敏感で熱に強いです。化合物半導体は、現在のソリューションが使用するエネルギーの数分の一で、データの保存、ルーティング、送信、検出ができます。 そのため、化合物半導体は、シリコンベースの半導体を使用する現在のアプリケーションの性能を向上させる幅広い使用例があり、シリコンベースの半導体では対応できないアプリケーションの広大なスペクトルを切り開くことになります。 化合物半導体はすでに、スマートフォンやその他のワイヤレス機器のパワーアンプ、DVDやブルーレイの光源、LED、太陽電池、人工衛星の太陽電池やジャイロスタビライザーなどに使われています。 化合物半導体に使われる一般的な元素は以下の通りです：

- ガリウムヒ素（GaAs）
- 窒化ガリウム（GaN）
- リン化インジウム（InP）
- 硫化亜鉛（ZnS）
- セレン化亜鉛（ZnSe）
- シリコンカーバイト（SiC）
- シリコンゲルマニウム（SiGe）