화합물 반도체

화합물 반도체

화합물 반도체는 특정 애플리케이션에서 실리콘에 비해 많은 이점을 제공합니다. 예를 들어 화합물 반도체의 전자는 실리콘의 전자보다 훨씬 빠르게 움직이기 때문에 실리콘보다 100배 이상 빠른 고속 처리가 가능합니다. 또한 화합물 반도체는 낮은 전압에서 작동하고 빛을 방출 및 감지하며 마이크로파를 생성할 수 있고 자기적으로 민감하고 열에 강합니다. 화합물 반도체는 기존 솔루션에 비해 훨씬 적은 에너지로 데이터를 저장, 라우팅, 전송, 감지할 수 있습니다. 따라서 화합물 반도체는 실리콘 기반 반도체를 사용하는 현재 애플리케이션의 성능을 개선하는 광범위한 사용 사례를 가지고 있으며 실리콘 기반 반도체가 지원할 수 없는 방대한 애플리케이션을 열어줄 것입니다. 화합물 반도체는 이미 스마트폰 및 기타 무선 장치의 전력 증폭기, DVD 및 블루레이의 광원, LED, 태양 전지, 인공위성의 태양 전지 및 자이로 안정기 등에 사용되고 있습니다. 화합물 반도체에 사용되는 일반적인 원소는 다음과 같습니다:

- 갈륨 비소(GaAs)
- 질화 갈륨(GaN)
- 인화인듐(InP)
- 황화아연(ZnS)
- 아연 셀레나이드(ZnSe)
- 실리콘 카바이드(SiC)
- 실리콘 게르마늄(SiGe)