氮化硅是一种化学化合物(Si3N4,SiN),具有优异的机械性能和热稳定性。通常用作于硬掩模、电介质材料或钝化层。氮化硅本质上非常坚硬,具有良好的抗热震性和抗氧化性。请参见以下SVM提供的氮化物类型。

LPCVD氮化硅薄膜(SiN薄膜)

温度越高,薄膜越稳定,纯度越高。

适用于晶圆的两面。

提供4种类型氮化硅薄膜:

1. 化学计量型LPCVD氮化物薄膜:

  • 标准氮化物薄膜
  • 通用型薄膜
  • 优异的绝缘体
  • 优异的硬掩膜
  • 常用于MEMS领域

化学计量型氮化物薄膜规格:

  • 厚度范围:100Å – 7500Å
  • 折射率: 2.00 +/-.05
  • 薄膜应力:>800MPa(拉应力)
  • 晶圆尺寸:25mm – 300mm
  • 温度:700°C – 800°C
  • 加工面: 双面

2. 低应力LPCVD氮化物薄膜:

常见用途

  • 硬掩膜
  • 机械结构
  • 悬臂梁
  • 隔膜
  • MEMS应用

低应力氮化物薄膜规格

  • 厚度范围:50Å – 2µm
  • 厚度公差: +/-5%
  • 晶圆内均匀性:+/-5%或更好
  • 晶圆对晶圆均匀性:+/-5%或更好
  • 加工面: 双面
  • 折射率: 2.20 +/-.02
  • 薄膜应力:<250MPa(拉应力)
  • 晶圆尺寸:50mm-300mm
  • 温度: 820°C

3. 超低应力LPCVD氮化物薄膜:

  • 可沉积比低应力氮化物薄膜更厚的薄膜
  • 折射率略高
  • 采用与低应力氮化物薄膜相同的温度

常见用途

  • 硬掩膜
  • 机械结构
  • 悬臂梁
  • 隔膜
  • MEMS应用

超低应力氮化物薄膜规格:

  • 厚度范围:50Å – 4µm
  • 厚度公差:+/-5%
  • 晶圆内均匀性:+/-5%或更好
  • 晶圆对晶圆均匀性:+/-5%或更好
  • 加工面:双面
  • 折射率:2.30

4. 靶向应力LPCVD氮化物薄膜:

  • 可根据客户的薄膜压力需求定制拉伸或压缩薄膜
  • 厚度可达4µm
  • 可自定义折射率

靶向应力LPCVD氮化物薄膜规格:

  • 厚度范围:50Å – 4µm
  • 厚度公差:+/-5%
  • 晶圆内均匀性:+/-5%或更好
  • 晶圆对晶圆均匀性:+/-5%或更好
  • 加工面:双面
  • 折射率: 2.05 – 2.35
  • 薄膜应力:目标应力+/-50MPa(拉应力)
  • 晶圆尺寸:50mm、100mm、125mm、150mm、200mm
  • 晶圆厚度:100µm – 2,000µm
  • 晶圆材料:硅、绝缘体上硅、石英
  • 温度:800°C – 820°C

PECVD氮化硅薄膜(SiN薄膜)

  • 低温下替代工艺
  • 仅应用于晶圆单面
  • 良好的折射率
  • 低应力和标准工艺可用

PECVD氮化物薄膜规格:

  • 厚度范围:100Å – 2µm
  • 厚度公差:+/-7%
  • 晶圆内均匀性:+/-7%或更好
  • 晶圆对晶圆均匀性:+/-7%或更好
  • 加工面:单面
  • 折射率:1.98+/-.05
  • 薄膜应力:<200MPa(低应力), +400MPa (标准工艺)
  • 晶圆尺寸:50mm – 300mm
  • 温度:300°C – 400°C

ALD氮化硅薄膜(SiN薄膜)

  • 低温下替代工艺
  • 仅应用于晶圆单面
  • 高质量保形薄膜
  • 原子级精度

ALD氮化物薄膜规格:

  • 厚度范围:10Å – 350Å
  • 厚度公差:+/-5%或更小
  • 晶圆内均匀性:+/-5%或更好
  • 加工面:单面
  • 晶圆尺寸:200mm – 300mm
  • 温度:450°C

PECVD氧氮化硅薄膜 (SiON薄膜)

  • 氢杂质少
  • 稳定性提高
  • 器件可靠性提高
  • 优异的抗裂性
  • 适用于多层互连的平面化
  • 这些特性意味着氧氮化硅薄膜作为最终钝化层、金属间层电介质和沟槽隔离衬垫的效果非常好

氧氮化硅薄膜规格:

  • 厚度:100Å – 2μm
  • 折射率:1.5 – 1.9
  • 薄膜应力:250MPa
  • 加工面:单面
  • 温度:约400°C
  • 晶圆直径:50mm – 300mm 

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