绝缘体上硅 (SOI)

绝缘体上硅晶圆在微机电系统（MEMS）和先进的互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路制造中最为常见。绝缘体上硅晶圆改进了许多传统硅晶圆所采用的工艺。

这些晶片圆提供了一种制造解决方案，有助于降低功耗和热量，同时提高设备的速度性能。绝缘体上硅晶圆由三层材料堆叠而成，包括：优质硅的有源层（器件层）、电绝缘二氧化硅的氧化埋层（BOX）和散装硅支撑晶圆（衬底）。SOI 晶圆是针对特定最终用户应用的独特产品。

SOI 制造工艺

制造绝缘体上硅晶圆有三种主要方法，每种方法生产出的基片薄膜特性略有不同。当您通过我们的联系表或电子邮件提交您的要求时，SVM 销售团队的成员将根据您的项目要求确定哪种制造方法最适合您。

键合与回蚀 SOI (BESOI)

一些应用之所以青睐这种方法，是因为无需植入，从而最大限度地减少了对基底表面的损害。此外，自由电荷载流子也很少，这可以提高器件的长期性能。由于 CMP 和晶圆研磨工艺的特性，这种方法通常用于制造器件层大于 2μm 的 SOI 晶圆。

SVM 可以生产直径从 76mm-200mm的任何晶圆。

注氧隔离技术（SIMOX）

与绝缘体上硅晶圆的其他制造技术相比，这种工艺通常更受青睐，因为它能够精确控制氧化层的厚度。虽然很少见，但在某些应用中用氮气或氮氧化物代替氧气不会产生不良影响，不过绝大多数应用都需要氧气。这是一种通用性很强的制造技术，可以生产大于 0.5um的器件层，这意味着它涵盖了大多数薄膜 SOI 晶圆以及厚膜 SOI。

SmartCut®

这种方法结合了 SIMOX 的可重复性和 BESOI 的灵活性，允许不同的氧化膜厚度，同时在不同的晶圆上保持高度的一致性。与 BESOI 不同的是，粘合晶圆可以回收利用，因此这种方法的成本效益略高。由于薄膜 SOI 晶圆的裂解工艺，这种方法可以生产薄至 50nm（500Å，0.05μm）的器件层。这种方法仅适用于 200mm晶圆，因为生产如此薄的器件层需要先进的工具。在大多数情况下，我们可以缩小这些晶圆的尺寸，以生产 100mm或 150mm晶圆，但需要支付额外的费用，而且可能会损失一些成品率（平均成品率约为 90-95%，但也可能会有所不同）。

*如果您的要求超出上述规格，请联系我们进一步讨论。对于不同的器件层厚度和定制 SOI 晶圆，某些规格可能需要 15-25片晶圆的最低订购量。