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退火我们很高兴能提供氮气和成型气体退火服务，退火温度最高可达 1,100℃。
注入我们为硅、SOI 和其他类型的特殊基底（如 GaAs、GaN、InP、SiGe、SiC 等）提供晶圆离子注入服务。
晶圆回收与抛光利用具有针对性渣浆的 CMP 工艺，我们可以为不同材料提供高质量的抛光效果。
切割结合多种技术，我们可以成功地帮助客户回收其 200mm和 300mm晶圆，以供进一步使用。
晶片缩小/激光切割为确保向您提供高质量的成品，我们采用低应力抽芯法仔细调整晶圆尺寸。
外延晶圆服务我们可在硅晶圆、SOI 晶圆和 SOS 晶圆上提供单层、双层和三层外延解决方案。
激光打标SVM 非常适合那些需要对已有晶圆或芯片进行快速打标的客户，我们随时准备为您的所有打标项目提供帮助。
光刻技术进一步了解我们提供的橡皮布光刻胶类型，以及我们的接触式、电子束和步进式光刻能力。
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