Siliziumnitrid ist eine chemische Verbindung (Si3N4, SiN), die eine ausgezeichnete mechanische und thermische Stabilität aufweist. Es wird häufig für Hartmasken, als dielektrisches Material oder als Passivierungsschicht verwendet. Siliziumnitrid, das von Natur aus sehr hart ist, hat eine gute Temperaturwechselbeständigkeit und Oxidationsbeständigkeit. Nachstehend finden Sie die von SVM angebotenen Nitridtypen.

LPCVD Siliziumnitrid-Schicht (SiN-Schicht)

Der Prozess mit höherer Temperatur führt zu einem Film mit höherer Reinheit, der sehr stabil ist.

Wird auf beide Seiten des Wafer aufgetragen.

Wird in 4 Varianten angeboten:

1. Stöchiometrisches LPCVD-Nitrid:

Standard-Nitridschicht
Sehr vielseitige Schicht
Ausgezeichneter Isolator
Ausgezeichnete harte Maske
Üblicherweise für MEMS verwendet

Stöchiometrisches Nitrid Spezifikationen:

Dickenbereich: 100Å - 7500Å
Brechungsindex: 2.00 +/-.05
Schichtspannung: >800MPa Zugspannung
Wafergröße: 25mm - 300mm
Temperatur: 700°C - 800°C
Bearbeitete Seiten: Beide

2. LPCVD-Nitrid mit geringer Belastung:

Häufige Verwendungen

Harte Maske
Mechanische Strukturen
Freitragende Balken
Membranen
MEMS-Anwendungen

Spezifikationen für spannungsarmes Nitrid

Dickenbereich: 50Å - 2µm
Toleranz bei der Dicke: +/-5%
Einheitlichkeit innerhalb des Wafer: +/-5% oder besser
Einheitlichkeit von Wafer zu Wafer: +/-5% oder besser
Verarbeitete Seiten: beide
Brechungsindex: 2.20 +/-.02
Film stress: <250MPa Tensile Stress
Wafergröße: 50mm-300mm
Temperatur: 820°C

3. Superniedrig gestresstes LPCVD-Nitrit:

Kann dicker aufgetragen werden als spannungsarmes Nitrid
Geringfügig höherer Brechungsindex
Gleiche Temperatur wie bei spannungsarmem Nitrid

Häufige Verwendungen

Harte Maske
Mechanische Strukturen
Freitragende Balken
Membranen
MEMS-Anwendungen

Spezifikationen für superniedrig gestresstes Nitrit:

Dickenbereich: 50Å - 2µm
Toleranz bei der Dicke: +/-5%
Einheitlichkeit innerhalb des Wafer: +/-5% oder besser
Einheitlichkeit von Wafer zu Wafer: +/-5% oder besser
Bearbeitete Seiten: Beide
Brechungsindex: 2.30

4. Gezielter Stress LPCVD-Nitrid:

Kann an Ihre Anforderungen an den Schichtstress für Zug- oder Druckspannungen angepasst werden
Kann sehr dick sein, bis zu 2µm
Kann kundenspezifischer Brechungsindex sein

Gezielte Nitrid-Spezifikationen:

Dickenbereich: 50Å - 2µm
Toleranz bei der Dicke: +/-5%
Einheitlichkeit innerhalb des Wafer: +/-5% oder besser
Einheitlichkeit von Wafer zu Wafer: +/-5% oder besser
Bearbeitete Seiten: Beide
Brechungsindex: 2.05 - 2.35
Schichtspannung: Ihr Ziel +/-50MPa Zugspannung
Wafergröße: 50mm, 100mm, 125mm, 150mm, 200mm
Waferdicke: 100µm - 2.000µm
Wafer-Material: Silizium, Silizium-auf-Isolator, Quarz
Temperatur: 800°C - 820°C

PECVD Siliziumnitrid-Film (SiN-Film)

Alternatives Verfahren mit niedrigerer Temperatur
Nur auf einer Seite des Wafer angebracht
Guter Brechungsindex
Geringe Belastung und Standardprozesse verfügbar

PECVD-Nitrid Spezifikationen:

Dickenbereich: 100Å - 2µm
Dickentoleranz: +/-7%
Einheitlichkeit innerhalb des Wafer: +/-7% oder besser
Einheitlichkeit von Wafer zu Wafer: +/-7% oder besser
Verarbeitete Beilagen: Eine
Brechungsindex: 1.98+/-.05
Film stress: <200MPa(Low Stress), +400MPa (Standard)
Wafergröße: 50mm - 300mm
Temperatur: 300°C - 400°C

ALD Siliziumnitrid-Film (SiN-Film)

Alternatives Verfahren mit niedrigerer Temperatur
Wird nur auf einer Seite des Wafer angewendet.
Hochwertige, sehr konforme Schicht
Präzision im atomaren Maßstab

ALD-Nitrid Spezifikationen:

Dickenbereich: 10Å - 350Å
Dickentoleranz: +/-5% oder besser
Einheitlichkeit innerhalb des Wafer: +/-5% oder besser
Verarbeitete Beilagen: Eine
Wafergröße: 200mm - 300mm
Temperatur: 450°C

PECVD Silizium-Oxynitrid (SiON)

Weniger Wasserstoffverunreinigungen
Verbesserte Stabilität
Verbesserte Zuverlässigkeit des Geräts
Ausgezeichnete Rissfestigkeit
Hervorragend geeignet für die Planarisierung von Multilevel-Verbindungen
Aufgrund dieser Eigenschaften eignet sich Siliziumoxynitrid hervorragend als abschließende Passivierungsschicht, als Dielektrikum auf intermetallischer Ebene und als Auskleidung für die Grabenisolierung.

Oxynitrid Spezifikationen: