실리콘 질화물 필름

질화규소는 기계적 및 열적 안정성이 뛰어난 화합물(Si3N4, SiN)입니다. 일반적으로 하드 마스크, 유전체 재료 또는 패시베이션 층으로 사용됩니다. 본질적으로 매우 단단한 질화규소는 내열충격성과 내산화성이 우수합니다. 아래에서 SVM이 제공하는 질화물의 종류를 확인하세요.

LPCVD 실리콘 질화물 필름(SiN 필름)

고온 공정은 매우 안정적인 고순도 필름을 만들어냅니다.

웨이퍼의 양면에 적용됩니다.

4가지 유형으로 제공:

1. 화학량론적 (Stoichiometric) LPCVD 질화물:

• 표준 질화물 필름
• 매우 다재다능한 필름
• 우수한 절연체
• 우수한 하드 마스크
• MEMS에 일반적으로 사용됨

화학량론적 (Stoichiometric) 질화물 사양:

• 두께 범위: 100Å - 7500Å
• 굴절률: 2.00 +/-.05
• 필름 응력: >800MPa 인장 응력
• 웨이퍼 크기: 25mm - 300mm
• 온도: 700°C - 800°C
• 처리된 측면: 양쪽 모두

2. 저응력 (Low Stress) LPCVD 질화물:

일반적인 용도

• 하드 마스크
• 기계적 구조
• 캔틸레버 (Cantilever) 빔
• 멤브레인
• MEMS 애플리케이션

저응력 (Low Stress) 질화물 사양

• 두께 범위: 50Å - 2µm
• 두께 허용 오차: +/-5%
• 웨이퍼내 균일성: +/-5% 이상
• 웨이퍼 간 균일성: +/-5% 이상
• 처리된 측면: 양쪽 모두
• 굴절률: 2.20 +/-.02
• Film stress: <250MPa Tensile Stress
• 웨이퍼 크기: 50mm-300mm
• 온도: 820°C

3. 초저응력 (Super Low Stress) LPCVD 질화물:

• 저응력 (low stress) 질화물보다 두껍게 증착 가능
• 굴절률이 약간 더 높음
• 저응력 (low stress) 질화물과 동일한 온도

일반적인 용도

• 하드 마스크
• 기계적 구조
• 캔틸레버 (Cantilever) 빔
• 멤브레인
• MEMS 애플리케이션

초저응력 (Super Low Stress) 질화물 사양:

• 두께 범위: 50Å - 2µm
• 두께 허용 오차: +/-5%
• 웨이퍼내 균일성: +/-5% 이상
• 웨이퍼 간 균일성: +/-5% 이상
• 처리된 측면: 양쪽 모두
• 굴절률: 2.30

4. 목표 응력 LPCVD 질화물:

• 인장 또는 압축 필름에 대한 필름 응력 요구 사항에 맞게 맞춤화 가능
• 최대 2µm의 매우 두꺼운 두께 가능
• 사용자 지정 굴절률 가능

목표 질화물 사양:

• 두께 범위: 50Å - 2µm
• 두께 허용 오차: +/-5%
• 웨이퍼내 균일성: +/-5% 이상
• 웨이퍼 간 균일성: +/-5% 이상
• 처리된 측면: 양쪽 모두
• 굴절률: 2.05 - 2.35
• 필름 응력: 목표 +/-50MPa 인장 응력
• 웨이퍼 크기: 50mm, 100mm, 125mm, 150mm, 200mm
• 웨이퍼 두께: 100µm - 2,000µm
• 웨이퍼 재료: 실리콘, 실리콘 온 인슐레이터, 석영
• 온도: 800°C - 820°C

PECVD 실리콘 질화물 필름(SiN 필름)

• 저온 대체 공정
• 웨이퍼의 한쪽면에만 적용
• 우수한 굴절률
• 낮은 스트레스와 표준 프로세스 사용 가능

PECVD 질화물 사양:

• 두께 범위: 100Å - 2µm
• 두께 허용 오차: +/-7%
• 웨이퍼내 균일성: +/-7% 이상
• 웨이퍼 간 균일성: +/-7% 이상
• 처리된 측면: 한 면
• 굴절률: 1.98+/-.05
• Film stress: <200MPa(Low Stress), +400MPa (Standard)
• 웨이퍼 크기: 50mm - 300mm
• 온도: 300°C - 400°C

ALD 실리콘 질화물 필름(SiN 필름)

• 저온 대체 공정
• 웨이퍼의 한쪽면에만 적용.
• 고품질의 매우 순응적인 필름
• 원자 단위의 정밀도

ALD 질화물 사양:

• 두께 범위: 10Å - 350Å
• 두께 허용 오차: +/-5% 이상
• 웨이퍼내 균일성: +/-5% 이상
• 처리된 측면: 한 면
• 웨이퍼 크기: 200mm - 300mm
• 온도: 450°C

PECVD 실리콘 옥시니트라이드(SiON)

• 수소 불순물 감소
• 안정성 향상
• 디바이스 안정성 향상
• 뛰어난 내균열성
• 다단계 인터커넥트 평면화에 탁월함
• 이러한 특성으로 인해 실리콘 옥시니트라이드는 최종 패시베이션 층, 금속 간 유전체 및 트렌치 절연을 위한 라이너로 매우 효과적입니다.

산질화물 사양:

• 두께: 100Å - 2μm
• 굴절률: 1.5 - 1.9
• 필름 스트레스: 250MPa
• 처리된 측면: 한 면
• 온도 ~ 400°C
• 웨이퍼 직경: 50mm - 300mm