실리콘 니트라이드 필름

질화규소(Silicon Nitride)는 기계적, 열적 안정성이 뛰어난 화합물(Si3N4, SiN)입니다. 일반적으로 하드 마스크, 유전 물질 또는 수동 층으로 사용됩니다. 질화규소는 특성상 매우 단단하며, 내열성과 내산화성이 좋습니다. SVM에서 제공하는 니트라이드 종류를 아래에서 참고하세요.

LPCVD 실리콘 니트라이드 필름(SiN 필름)

고온 공정은 매우 안정적인 고순도 필름을 만들어 냅니다.

웨이퍼의 양쪽에 적용됩니다.

4가지 유형으로 제공됩니다:

1. 화학량적 LPCVD 질화물:

• 표준 니트라이드 필름
• 다용도 필름
• 우수한 절연체
• 탁원한 하드 마스크
• MEMS에 일반적으로 사용됨

화학량적 니트라이드 사양:

• 두께 넓이: 100Å – 7500Å
• 굴절률: 2.00 +/-.05
• 필름 응력: >800MPa 인장 응력
• 웨이퍼 크기: 25mm – 300mm
• 온도: 700°C – 800°C
• 처리된 면: 양면

2. 저응력 LPCVD 니트라이드:

일반 용도

• 하드 마스크
• 기계 구조
• 캔틸레버 빔
• 막(Membranes)
• MEMS 애플리케이션

저응력 니트라이드 사양

• 두께 넓이: 50Å – 2µm
• 두께 허용 오차: +/-5%
• 웨이퍼 균일도: +/-5%. 혹은 이보다 좋음.
• 웨이퍼 간 균일도: +/-5%. 혹은 이보다 좋음.
• 처리된 면: 양면
• 굴절률: 2.20 +/-.02
• 필름 응력: <250MPa 인장 응력
• 웨이퍼 크기: 50mm-300mm
• 온도: 820°C

3. 초저응력 LPCVD 니트라이드:

• 낮은 응력 질화물보다 두껍게 침전될 수 있음
• 약간 높은 굴절률
• 질화 저응력과 동일한 온도

일반 용도

• 하드 마스크
• 기계 구조
• 캔틸레버 빔
• 막(Membranes)
• MEMS 애플리케이션

초저응력 LPCVD 니트라이드 사양:

• 두께 넓이: 50Å – 4µm
• 두께 허용 오차: +/-5%
• 웨이퍼 균일도: +/-5%. 혹은 이보다 더 좋음
• 웨이퍼 간 균일도: +/-5%. 혹은 이보다 더 좋음
• 처리된 면: 양면
• 굴절률: 2.30

4. 표적 응력 LPCVD Nitride:

• 인장 또는 압축 필름에 대한 필름 응력 요구에 맞게 맞춤 제작 가능
• 최대 4µm까지 매우 두꺼울 수 있음
• 굴절률 맞춤형 가능

표적 Nitride 사양:

• 두께 넓이: 50Å – 4µm
• 두께 허용 오차: +/-5%
• 웨이퍼 균일도: +/-5%. 혹은 이보다 더 좋음
• 웨이퍼 간 균일도: +/-5%. 혹은 이보다 더 좋음
• 처리된 면: 양면
• 굴절률: 2.05 – 2.35
• 필름 응력: 목표 응력에서 +/-50MPa
• 웨이퍼 크기: 50mm, 100mm, 125mm, 150mm, 200mm
• 웨이퍼 두께: 100µm – 2,000µm
• 웨이퍼 재료: 실리콘, 실리콘 절연체, 쿼츠Quartz
• 온도: 800°C – 820°C

PECVD 실리콘 Nitride 필름 (SiN 필름)

• 저온 대체 프로세스
• 웨이퍼의 한쪽 면에만 적용됨
• 양호한 굴절률
• 낮은 응력 및 표준 프로세스 사용 가능

PECVD Nitride 사양:

• 두께 넓이: 100Å – 2µm
• 두께 허용 오차: +/-7%
• 웨이퍼 균일도: +/-7% 혹은 이보다 더 좋음
• 웨이퍼 간 균일도: +/-7% 혹은 이보다 더 좋음
• 처리된 면: 단면
• 굴절률: 1.98+/-.05
• 필름 응력: <200MPa(저응력), +400MPa (표준)
• 웨이퍼 크기: 50mm – 300mm
• 온도: 300°C – 400°C

ALD 실리콘 Nitride 필름 (SiN 필름)

• 저온 대체 프로세스
• 웨이퍼의 한쪽 면에만 적용
• 고품질의 매우 등각된 필름
• 원자 척도 정밀도

ALD Nitride 사양:

• 두께 넓이: 10Å – 350Å
• 두께 허용 오차: +/-5% 혹은 이보다 더 좋음
• 웨이퍼 균일도: +/-5% 혹은 이보다 더 좋음
• 처리된 면: 단면
• 웨이퍼 크기: 200mm – 300mm
• 온도: 450°C

PECVD 실리콘 옥시니트라이드(SiON)

• 수소 불순물 감소
• 안정성 향상
• 향상된 장치 안정성
• 내균열성이 우수함
• 다단계 상호 연결을 평면화하는 데 적합
• 이러한 특성은 실리콘 옥시니트라이드가 최종 패시브 층, 금속 간 유전체 및 참호 격리를 위한 라이너로 훌륭하게 작동한다는 것을 의미합니다

옥시니트라이드 사양:

• 두께: 100Å – 2μm
• 굴절률:1.5 – 1.9
• 필름 응력: 250MPa
• 처리된 면: 단면
• 온도 ~ 400°C
• 웨이퍼 지름: 50mm – 300mm