Le nitrure de silicium est un composé chimique (Si3N4, SiN) qui surfre une excellente stabilité mécanique et Lermique. Il est couramment utilisé pour les masques durs, comme matériau diélectrique ou comme couche de passivation. Le nitrure de silicium, très dur par nature, présente une bonne résistance aux chocs Lermiques et à l'oxydation. Vous trouverez ci-dessous les types de nitrures proposés par SVM.

Film de nitrure de silicium LPCVD (film SiN)

Le processus à plus haute température permet d'obtenir un film plus pur et très stable.

Appliqué sur les deux faces de la plaquette.

Proposé en 4 types :

1. Nitrure LPCVD stœchiométrique :

  • Film de nitrure standard
  • Film très polyvalent
  • Excellent isolant
  • Excellent masque dur
  • Couramment utilisé pour les MEMS

Spécifications stœchiométriques pour le nitrure :

  • Gamme d'épaisseur : 100Å - 7500Å
  • Indice de réfraction : 2.00 +/-.05
  • Contrainte du film : >800MPa Contrainte de traction
  • Taille de la plaquette : 25 mm - 300 mm
  • Température : 700°C - 800°C
  • Côtés traités : Les deux

2. Nitrure LPCVD à faible contrainte :

Utilisations courantes

  • Masque dur
  • Structures mécaniques
  • Poutres en porte-à-faux
  • Membranes
  • Applications MEMS

Spécifications du nitrure à faible contrainte

  • Gamme d'épaisseur : 50Å - 2µm
  • Tolérance d'épaisseur : +/-5%
  • Uniformité à l'intérieur de la tranche de silicium : +/-5% ou mieux
  • Uniformité d'une tranche à l'autre : +/-5% ou mieux
  • Côtés traités : les deux
  • Indice de réfraction : 2.20 +/-.02
  • Film stress: <250MPa Tensile Stress
  • Taille de la plaquette : 50 mm-300 mm
  • Température : 820°C

3. Nitrure LPCVD à très faible contrainte :

  • Peut être déposé plus épais que le nitrure à faible contrainte
  • Indice de réfraction légèrement plus élevé
  • Même température que le nitrure à faible contrainte

Utilisations courantes

  • Masque dur
  • Structures mécaniques
  • Poutres en porte-à-faux
  • Membranes
  • Applications MEMS

Nitrure à très faible contrainte Spécifications :

  • Gamme d'épaisseur : 50Å - 2µm
  • Tolérance d'épaisseur : +/-5%
  • Uniformité à l'intérieur de la tranche de silicium : +/-5% ou mieux
  • Uniformité d'une tranche à l'autre : +/-5% ou mieux
  • Côtés traités : Les deux
  • Indice de réfraction : 2.30

4. Stress ciblé LPCVD Nitrure :

  • Peut être personnalisé en fonction de vos besoins en matière de tension du film pour les films en traction ou en compression.
  • Peut être très épais, jusqu'à 2µm
  • Indice de réfraction personnalisable

Spécifications du nitrure ciblé :

  • Gamme d'épaisseur : 50Å - 2µm
  • Tolérance d'épaisseur : +/-5%
  • Uniformité à l'intérieur de la tranche de silicium : +/-5% ou mieux
  • Uniformité d'une tranche à l'autre : +/-5% ou mieux
  • Côtés traités : Les deux
  • Indice de réfraction : 2.05 - 2.35
  • Contrainte du film : Votre objectif +/-50MPa Contrainte de traction
  • Taille de la plaquette : 50 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm
  • Épaisseur de la plaquette : 100 µm - 2 000 µm
  • Matériau de la plaquette : Silicium, silicium sur isolant, quartz
  • Température : 800°C - 820°C

Film de nitrure de silicium PECVD (film SiN)

  • Procédé alternatif à basse température
  • Appliqué sur une seule face de la plaquette
  • Bon indice de réfraction
  • Procédés standard et à faible contrainte disponibles

PECVD Nitride Spécifications :

  • Gamme d'épaisseur : 100Å - 2µm
  • Tolérance d'épaisseur : +/-7%
  • Uniformité à l'intérieur de la tranche de silicium : +/-7% ou mieux
  • Uniformité d'une tranche à l'autre : +/-7% ou mieux
  • Côtés traités : Un
  • Indice de réfraction : 1.98+/-.05
  • Film stress: <200MPa(Low Stress), +400MPa (Standard)
  • Taille de la plaquette : 50 mm - 300 mm
  • Température : 300°C - 400°C

Film ALD de nitrure de silicium (film SiN)

  • Procédé alternatif à basse température
  • Appliqué sur une seule face de la plaquette.
  • Film très conforme de haute qualité
  • Précision à l'échelle atomique

Nitrure ALD Spécifications :

  • Gamme d'épaisseur : 10Å - 350Å
  • Tolérance d'épaisseur : +/-5% ou mieux
  • Uniformité à l'intérieur de la tranche de silicium : +/-5% ou mieux
  • Côtés traités : Un
  • Taille de la plaquette : 200 mm - 300 mm
  • Température : 450°C

Oxynitrure de silicium PECVD (SiON)

  • Moins d'impuretés d'hydrogène
  • Amélioration de la stabilité
  • Amélioration de la fiabilité de l'appareil
  • Excellente résistance aux fissures
  • Excellent pour la planarisation des interconnexions multi-niveaux
  • Ces propriétés signifient que l'oxynitrure de silicium fonctionne parfaitement comme couche de passivation finale, diélectrique au niveau intermétal et revêtement pour l'isolation des tranchées.

Spécifications de l'oxynitrure :

  • Épaisseur : 100Å - 2μm
  • Indice de réfraction : 1,5 - 1,9
  • Contrainte du film : 250MPa
  • Côtés traités : Un
  • Température ~ 400°C
  • Diamètre de la plaquette : 50 mm - 300 mm 

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