氮化硅是一种化合物(Si3N4,SiN),具有出色的机械和热稳定性。它通常用于硬掩膜、电介质材料或钝化层。氮化硅的性质非常坚硬,具有良好的抗热震性和抗氧化性。请参阅以下 SVM 提供的氮化物类型。
LPCVD 氮化硅薄膜(氮化硅薄膜)
温度较高的工艺可产生纯度较高且非常稳定的薄膜。
应用于晶圆的两面。
提供4种类型:
1.定量 LPCVD 氮化物:
- 标准氮化薄膜
- 用途广泛的薄膜
- 出色的绝缘体
- 出色的硬掩膜
- 常用于微机电系统
Stoichiometric氮化层规格:
- 厚度范围100Å-7500Å
- 折射率:2.00 +/-.05
- 薄膜应力:>800MPa 拉伸应力
- 晶圆尺寸:25mm-300mm
- 温度:700°C-800°C
- 表面已处理:双面
2.低应力 LPCVD 氮化:
常见用途
- 硬掩模
- 机械结构
- 悬臂梁
- 薄膜
- 微机电系统应用
低应力氮化技术规格
- 厚度范围50Å-2µm
- 厚度公差+/-5%
- 晶圆内均匀性:+/-5% 或更佳
- 晶圆与晶圆之间的一致性:+/-5% 或更佳
- 加工表面:双面
- 折射率:2.20 +/-.02
- Film stress: <250MPa Tensile Stress
- 晶片尺寸:50mm-300mm
- 温度:820°C
3.超低应力 LPCVD 氮化:
- 可沉积的厚度比低应力氮化更厚
- 折射率略高
- 与低应力氮化的温度相同
常见用途
- 硬掩模
- 机械结构
- 悬臂梁
- 薄膜
- 微机电系统应用
超低应力氮化规格
- 厚度范围50Å-2µm
- 厚度公差+/-5%
- 晶圆内均匀性:+/-5% 或更佳
- 晶圆与晶圆之间的一致性:+/-5% 或更佳
- 表面已处理:双面
- 折射率2.30
4.定向应力 LPCVD 氮化:
- 可根据拉伸或压缩薄膜的应力需求进行定制
- 厚度可达 2µm
- 可定制折射率
定向氮化规格:
- 厚度范围50Å-2µm
- 厚度公差+/-5%
- 晶圆内均匀性:+/-5% 或更佳
- 晶圆与晶圆之间的一致性:+/-5% 或更佳
- 表面已处理:双面
- 折射率:2.05 - 2.35
- 薄膜应力:您的目标 +/-50MPa 拉伸应力
- 晶圆尺寸:50mm、100mm、125mm、150mm、200mm
- 晶圆厚度:100µm – 2,000µm
- 晶圆材料:硅、硅绝缘体、石英
- 温度:800°C - 820°C
PECVD 氮化硅薄膜(氮化硅薄膜)
- 低温替代工艺
- 仅应用于晶圆的一面
- 良好的折射率
- 提供低压力和标准工艺
PECVD 氮化技术规格:
- 厚度范围:100Å – 2µm
- 厚度公差+/-7%
- 晶圆内均匀性:+/-7% 或更佳
- 晶圆与晶圆之间的一致性:+/-7% 或更佳
- 表面已处理:单面
- 折射率:1.98+/-.05
- Film stress: <200MPa(Low Stress), +400MPa (Standard)
- 晶圆尺寸:50mm-300mm
- 温度300°C-400°C
ALD 氮化硅薄膜(SiN 薄膜)
- 低温替代工艺
- 仅适用于晶圆的一面。
- 高质量共形层薄膜
- 原子级精度
ALD 氮化技术规格:
- 厚度范围10Å-350Å
- 厚度公差:+/-5% 或更佳
- 晶圆内均匀性:+/-5% 或更佳
- 表面已处理:单面
- 晶圆尺寸:200mm-300mm
- 温度: 450°C
PECVD 氧化硅(SiON)
- 氢杂质更少
- 提高稳定性
- 提高设备可靠性
- 卓越的抗裂性
- 非常适合平面化多级互连器件
- 这些特性意味着氧化硅可作为最终钝化层、金属间电介质和沟槽隔离衬垫使用
氮氧化物规格:
- 厚度:100Å-2μm
- 折射率:1.5 - 1.9
- 薄膜应力:250MPa
- 表面已处理:单面
- 温度 ~ 400°C
- 晶片直径:50mm-300mm
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