氮化硅是一种化合物(Si3N4,SiN),具有出色的机械和热稳定性。它通常用于硬掩膜、电介质材料或钝化层。氮化硅的性质非常坚硬,具有良好的抗热震性和抗氧化性。请参阅以下 SVM 提供的氮化物类型。

LPCVD 氮化硅薄膜(氮化硅薄膜)

温度较高的工艺可产生纯度较高且非常稳定的薄膜。

应用于晶圆的两面。

提供4种类型:

1.定量 LPCVD 氮化物:

  • 标准氮化薄膜
  • 用途广泛的薄膜
  • 出色的绝缘体
  • 出色的硬掩膜
  • 常用于微机电系统

Stoichiometric氮化层规格:

  • 厚度范围100Å-7500Å
  • 折射率:2.00 +/-.05
  • 薄膜应力:>800MPa 拉伸应力
  • 晶圆尺寸:25mm-300mm
  • 温度:700°C-800°C
  • 表面已处理:双面

2.低应力 LPCVD 氮化:

常见用途

  • 硬掩模
  • 机械结构
  • 悬臂梁
  • 薄膜
  • 微机电系统应用

低应力氮化技术规格

  • 厚度范围50Å-2µm
  • 厚度公差+/-5%
  • 晶圆内均匀性:+/-5% 或更佳
  • 晶圆与晶圆之间的一致性:+/-5% 或更佳
  • 加工表面:双面
  • 折射率:2.20 +/-.02
  • Film stress: <250MPa Tensile Stress
  • 晶片尺寸:50mm-300mm
  • 温度:820°C

3.超低应力 LPCVD 氮化:

  • 可沉积的厚度比低应力氮化更厚
  • 折射率略高
  • 与低应力氮化的温度相同

常见用途

  • 硬掩模
  • 机械结构
  • 悬臂梁
  • 薄膜
  • 微机电系统应用

超低应力氮化规格

  • 厚度范围50Å-2µm
  • 厚度公差+/-5%
  • 晶圆内均匀性:+/-5% 或更佳
  • 晶圆与晶圆之间的一致性:+/-5% 或更佳
  • 表面已处理:双面
  • 折射率2.30

4.定向应力 LPCVD 氮化:

  • 可根据拉伸或压缩薄膜的应力需求进行定制
  • 厚度可达 2µm
  • 可定制折射率

定向氮化规格:

  • 厚度范围50Å-2µm
  • 厚度公差+/-5%
  • 晶圆内均匀性:+/-5% 或更佳
  • 晶圆与晶圆之间的一致性:+/-5% 或更佳
  • 表面已处理:双面
  • 折射率:2.05 - 2.35
  • 薄膜应力:您的目标 +/-50MPa 拉伸应力
  • 晶圆尺寸:50mm、100mm、125mm、150mm、200mm
  • 晶圆厚度:100µm – 2,000µm
  • 晶圆材料:硅、硅绝缘体、石英
  • 温度:800°C - 820°C

PECVD 氮化硅薄膜(氮化硅薄膜)

  • 低温替代工艺
  • 仅应用于晶圆的一面
  • 良好的折射率
  • 提供低压力和标准工艺

PECVD 氮化技术规格:

  • 厚度范围:100Å – 2µm
  • 厚度公差+/-7%
  • 晶圆内均匀性:+/-7% 或更佳
  • 晶圆与晶圆之间的一致性:+/-7% 或更佳
  • 表面已处理:单面
  • 折射率:1.98+/-.05
  • Film stress: <200MPa(Low Stress), +400MPa (Standard)
  • 晶圆尺寸:50mm-300mm
  • 温度300°C-400°C

ALD 氮化硅薄膜(SiN 薄膜)

  • 低温替代工艺
  • 仅适用于晶圆的一面。
  • 高质量共形层薄膜
  • 原子级精度

ALD 氮化技术规格:

  • 厚度范围10Å-350Å
  • 厚度公差:+/-5% 或更佳
  • 晶圆内均匀性:+/-5% 或更佳
  • 表面已处理:单面
  • 晶圆尺寸:200mm-300mm
  • 温度: 450°C

PECVD 氧化硅(SiON)

  • 氢杂质更少
  • 提高稳定性
  • 提高设备可靠性
  • 卓越的抗裂性
  • 非常适合平面化多级互连器件
  • 这些特性意味着氧化硅可作为最终钝化层、金属间电介质和沟槽隔离衬垫使用

氮氧化物规格:

  • 厚度:100Å-2μm
  • 折射率:1.5 - 1.9
  • 薄膜应力:250MPa
  • 表面已处理:单面
  • 温度 ~ 400°C
  • 晶片直径:50mm-300mm 

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