PE TEOS - Plasmaveredeltes Tetraethylorthosilikat - Si(C2H5O)4

Plasmaveredeltes Tetraethylorthosilikat, besser bekannt als PE TEOS, ist bei Raumtemperatur ein flüssiger Film und erzeugt Siliziumdioxidschichten für verschiedene Anwendungen. Dieser Film hat großartige isolierende Eigenschaften und eine breite Palette von Anwendungen. Plasmaverstärktes TEOS unterscheidet sich von anderen Siliziumdioxidschichten, weil es während der Reaktion Ozon (O3) benötigt, wodurch die Abscheidungstemperatur gesenkt wird. Außerdem entsteht so eine Oxidschicht mit sehr hoher Konformität.

Je nach Anwendung bevorzugen einige diese Methode gegenüber anderen Techniken zur Abscheidung von SiOx-Filmen, da sie den Einsatz von Silan oder Dichlorsilan nicht erfordert. Der Verzicht auf diese Gase verbessert die Stufenbedeckung des entstehenden Films. Außerdem lässt sich die Spannung des Films genau steuern, was bei anderen Siliziumdioxid-Beschichtungsmethoden nicht möglich ist.

PE TEOS wird in einer CVD-Anlage abgeschieden, in der die Wafer zunächst auf eine niedrigere Temperatur als für dielektrische Schichten typisch erhitzt werden (zwischen 200°C - 500°C). Sobald der Ofen die richtige Temperatur erreicht hat, verteilt sich ein gasförmiges TEOS-Gemisch gleichmäßig in der Anlage, parallel zu den Wafern. Nach der gleichmäßigen Verteilung des Gases beginnt der Abscheidungsprozess mit Hochfrequenzenergie zwischen dem Gas und der Oberfläche der Wafer.

TEOS mit niedriger Partikelzahl

Tetraethylorthosilikat mit geringer Partikelgröße durchläuft den gleichen Abscheidungsprozess wie PE TEOS. Um eine hohe Reinheit zu erhalten, werden die Wafer in einem Vakuum gehalten, um unerwünschte Partikel während des Wachstumsprozesses zu vermeiden. Dieser Prozess erfordert eine heißere Abscheidungskammer als PE TEOS, da sich das Tetraethylorthosilikat ohne die Hilfe von Ozon erst bei 700°C zu zersetzen beginnt.

Um die Verunreinigung durch Partikel zu minimieren, verwendet SVM ausschließlich unbehandelte, werkseitig versiegelte Wafer für partikelarmes TEOS.

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