TEOS

PE TEOS - 等离子体增强正硅酸四乙酯 - Si(C2H5O)4

等离子体增强型正硅酸四乙酯（通常称为 PE TEOS）在室温下是一种液态薄膜，可生成二氧化硅层用于各种应用。这种薄膜具有很好的绝缘性能和广泛的用途。等离子体增强 TEOS 与其他二氧化硅薄膜不同，因为它在反应过程中需要臭氧 (O3)，从而降低了沉积温度。此外，它还能生成具有极高一致性的氧化物层。

与其他氧化硅薄膜沉积技术相比，有些人更喜欢这种方法，因为它不需要使用硅烷或二氯硅烷。去除这些气体可提高薄膜的阶跃覆盖率。它还能精确控制薄膜应力，而其他二氧化硅沉积方法则无法做到这一点。

PE TEOS 在 CVD 系统中沉积，首先将晶圆加热到比电介质薄膜通常温度更低（200°C - 500°C）。一旦熔炉达到合适的温度，气态 TEOS 混合物就会在系统中均匀分布，与晶圆平行。气体均匀分布后，气体和晶圆表面之间的射频能量开始沉积过程。

低颗粒 TEOS

低颗粒正硅酸四乙酯的沉积过程与聚乙烯-正硅酸乙酯相同。为了保持高纯度，晶片要保持真空状态，以防止在生长过程中产生不必要的颗粒。由于在没有臭氧辅助的情况下，原硅酸四乙酯要到 700°C 时才开始分解，因此该工艺需要比聚乙烯-邻硅氧烷更热的沉积室。

为了最大限度地减少颗粒污染，SVM 严格使用原生、出厂密封的晶圆来生产低颗粒 TEOS。

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