Propriétés du carbure de silicium :

  • Bonne performance à haute température.
  • Faible dilatation Lermique. Le SiC peut supporter des températures allant jusqu'à 1600°C sans perdre sa résistance.
  • Haute résistance à la corrosion, à l'érosion et à l'oxydation.
  • Propriétés de dureté supérieures ; le diamant est la seule substance plus dure.
  • Vitesses de commutation rapides, ce qui améliore la miniaturisation.
  • Excellente conductivité Lermique.

Processus de dépôt de carbure de silicium :

Il existe deux méthodes principales pour déposer du carbure de silicium : le dépôt physique en phase vapeur (PVD) et le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD).

Le dépôt en phase vapeur du carbure de silicium est réalisé lorsque la poudre de carbure de silicium est transformée en vapeur à l'aide de l'une des deux méthodes suivantes : sous vide à haute température ou à l'aide d'un plasma gazeux. Après avoir vaporisé tout le matériau, il est transféré dans un four à vide partiel ou total contenant les plaquettes. Une fois dans le four, la vapeur se dépose sur la surface du substrat, ce qui donne lieu à une fine couche de carborundum.

Pour déposer du SiC par PECVD, un four CVD expose les plaquettes au plasma afin de catalyser la réaction chimique à la surface du substrat.