碳化硅的特性：

  • 在高温下性能良好。
  • 热膨胀率低。碳化硅可承受高达 1600°C 的高温而不会降低强度。
  • 抗腐蚀、抗侵蚀和抗氧化能力强。
  • 卓越的硬度特性；钻石是唯一更坚硬的物质。
  • 开关速度快，从而提高了微型化程度。
  • 导热性能强

碳化硅沉积工艺：

沉积碳化硅有两种主要方法：物理气相沉积（PVD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。

碳化硅 PVD 是使用以下两种方法之一将碳化硅粉末转化为蒸汽：高温真空或气态等离子体。将所有材料汽化后，将其转移到装有晶圆的部分或全真空炉中。进入真空炉后，蒸汽会沉淀在基底表面，形成一层薄薄的碳化硅层。

通过 PECVD 沉积碳化硅时，CVD 炉将晶圆暴露在等离子体中，以催化基底表面的化学反应。