碳化硅

碳化硅（SiC）发现于 1893 年，是一种用于砂轮和汽车制动器的工业磨料。大约在²⁰世纪中叶，碳化硅晶片的用途逐渐扩展到 LED 技术。从那时起，由于其优越的物理特性，它已扩展到众多半导体应用领域。这些特性在半导体行业内外的广泛应用中显而易见。随着摩尔定律即将达到极限，半导体行业的许多公司都将碳化硅视为未来的半导体材料。

碳化硅可以使用多种类型的碳化硅来生产，但在半导体行业中，大多数基底都是 4H 型碳化硅，随着碳化硅市场的发展，6H 型碳化硅越来越不常见。在提到 4H- 和 6H- 碳化硅时，H 代表晶格结构。数字代表晶体结构中原子的堆积顺序。这在下面的 SVM 能力图中有描述。

碳化硅的优势

硬度

与传统的硅基底相比，使用碳化硅有许多优点。其中一个主要优点是硬度高。这使得这种材料在高速、高温和/或高压应用中具有许多优势。

碳化硅晶圆具有高导热性，这意味着它们可以很好地将热量从一点传递到另一点。这可以提高导电性，最终实现微型化，这也是改用碳化硅晶片的共同目标之一。

散热能力

碳化硅基板的热膨胀系数也很低。热膨胀是指材料在加热或冷却时膨胀或收缩的程度和方向。最常见的解释是冰，尽管它的行为与大多数金属相反，在冷却时膨胀，在加热时收缩。碳化硅的热膨胀系数较低，这意味着它在加热或冷却时，尺寸或形状不会发生显著变化，因此非常适合安装到小型设备中，并在单个芯片上安装更多晶体管。

这些基底材料的另一大优势是抗热震性强。这意味着它们能够快速改变温度而不会断裂或开裂。这在制造设备时具有明显的优势，因为与传统的块状硅相比，碳化硅的另一个韧性特性提高了碳化硅的使用寿命和性能。

除了耐热性能之外，它还是一种非常耐用的基底材料，在高达 800°C 的温度下不会与酸、碱或熔盐发生反应。这就赋予了这些基底在应用中的多功能性，并进一步增强了它们在许多应用中优于硅块的能力。

其高温强度也使其能够在 1600°C 以上的温度下安全运行。因此，它几乎适用于任何高温应用。

SVM 碳化硅供应规格：

**虽然 SVM 偶尔仍有 6H-SiC 晶圆供应，但整个行业都在逐步淘汰这种晶圆，转而采用通用性更强的 4H-SiC 晶圆。请告知我们您的需求，我们可以查看是否有货。