Glossaire des semi-conducteurs

A

 

B

Face arrière : Surface inférieure d'une plaquette de silicium. (Remarque : ce terme n'est pas préféré ; utilisez plutôt "surface arrière").

Couche de silicium de base : La plaquette de silicium située sous la couche d'isolant, qui supporte le film de silicium placé au-dessus de la plaquette.

Bipolaire : Transistors capables d'utiliser à la fois des trous et des électrons comme porteurs de charge.

Plaquettes collées : Deux plaquettes de silicium collées l'une à l'autre par du dioxyde de silicium, qui agit comme une couche isolante.

Interface de collage : Zone où se produit le collage de deux plaquettes.

Couche enfouie : Chemin de faible résistance pour un courant se déplaçant dans un dispositif. La plupart de ces dopants sont l'antimoine et l'arsenic.

Couche d'oxyde enfouie (BOX) : Couche isolante entre les deux plaquettes.

 

C

Porteur : Trous de Valence et électrons de conduction capables de transporter une charge à travers une surface solide dans une plaquette de silicium.

Polissage chimico-mécanique (CMP) : Processus d'aplanissement et de polissage des plaquettes qui utilise à la fois l'élimination chimique et le polissage mécanique. Il est utilisé au cours du processus de fabrication.

Marque de mandrin : Marque trouvée sur l'une ou l'autre surface d'une plaquette, causée par un effecteur robotique, un mandrin ou une baguette.

Plan de clivage : Plan de fracture privilégié.

Fissure : Marque de plus de 0,25 mm de long sur une plaquette de silicium.

Cratère : Visible sous un éclairage diffus, une imperfection de surface sur une plaquette qui peut être distinguée individuellement.

Diaphonie : Circuits non apparentés sur une carte interagissant les uns avec les autres. Elle finit par provoquer un dysfonctionnement de l'appareil.

Conductivité (électrique) : Mesure de la facilité avec laquelle les porteurs de charge peuvent circuler dans un matériau.

Type de conductivité : Type de porteurs de charge dans une plaquette, par exemple "type N" et "type P".

Contaminant, particules : (voir défaut de point lumineux)

Zone de contamination : Zone contenant des particules susceptibles d'affecter négativement les caractéristiques d'une plaquette de silicium.

Contamination Particulate : Particules trouvées à la surface d'une plaquette de silicium.

Défaut de cristal : Parties du cristal qui contiennent des vides et des dislocations pouvant avoir un impact sur les performances électriques d'un circuit.

Indices de cristal : (voir indices de Miller)

 

D

Couche de déplétion : Région d'une plaquette de silicium contenant un champ électrique qui élimine les porteurs de charge.

Dimple : Dépression concave à la surface d'une plaquette de silicium, visible à l'œil dans des conditions d'éclairage correctes.

Donateur : Contaminant qui a donné des électrons "libres" supplémentaires, rendant ainsi une plaquette "de type N".

Dopant : Élément qui apporte un électron ou un trou au processus de conduction, modifiant ainsi la conductivité. Les dopants pour les plaquettes de silicium se trouvent dans les groupes III et V du tableau périodique des éléments.

Dopage : Le processus de donation d'un électron ou d'un trou au processus de conduction par un dopant.

 

E

Ébréchure et indentation des bords : Imperfection des bords supérieure à 0,25 mm.

Zone d'exclusion des bords : Zone située entre la zone de qualité fixe et la périphérie d'une plaquette. (Elle varie en fonction des dimensions de la plaquette).

Exclusion des bords, nominale (EE) : Distance entre la zone de qualité fixe et la périphérie d'une plaquette.

Prsuril des bords : Les bords de deux plaquettes collées qui ont été façonnés chimiquement ou mécaniquement.

Gravure : Processus de réactions chimiques ou d'élimination physique visant à débarrasser la plaquette de matériaux excédentaires.

 

F

Zone de qualité fixe (FQA) : Zone la plus centrale de la surface d'une plaquette.

Plat : Section du périmètre d'une plaquette qui a été enlevée à des fins d'orientation de la plaquette.

Diamètre du méplat : Mesure du centre du méplat au bord opposé de la plaquette en passant par le centre de la plaquette (perpendiculairement au méplat). (Perpendiculaire au plat)

Sonde à quatre points : Équipement d'essai utilisé pour tester la résistivité des plaquettes.

Four et procédés Lermiques : Équipement avec jauge de température utilisé pour le traitement des plaquettes. Une température constante est nécessaire pour le processus.

Face avant : Face supérieure d'une plaquette de silicium. (Ce terme n'est pas préféré ; utilisez plutôt surface frontale).

 

G

Goniomètre : Instrument utilisé pour mesurer les angles.

Gradient, résistivité : (non préférée ; voir variation de la résistivité)

Rainure : Une rayure qui n'a pas été complètement polie.

 

H

 

I

L

Événement de diffusion de la lumière par laser : Impulsion de signal qui localise les imperfections de surface sur une plaquette.

Lay : Direction principale de la texture de la surface d'une plaquette de silicium.

Défaut de point lumineux (LPD) : (non préférée ; voir la diffusion localisée de la lumière)

Lithographie : Processus utilisé pour transférer des motifs sur des tranches de silicium.

Localized Light-Scatterer : Une caractéristique à la surface d'une plaquette, telle qu'une fosse ou une rayure, qui disperse la lumière. Elle est également appelée défaut de point lumineux.

Lot : Plaquettes de taille et de caractéristiques similaires placées ensemble dans une cargaison.

 

M

Porteur majoritaire : Porteur, soit un trou, soit un électron, qui est dominant dans une région spécifique, comme les électrons dans une zone de type N.

Plaque d'essai mécanique : Plaque de silicium utilisée à des fins d'essai.

Microrugosité : Rugosité de surface avec un espacement entre les impuretés dont la mesure est inférieure à 100 μm.

Indices de Miller, d'un plan cristallographique : Système utilisant trois nombres pour identifier l'orientation d'un plan dans un cristal.

Conditions ou dimensions minimales : Conditions admissibles pour déterminer si une plaquette est considérée comme acceptable ou non.

Porteur minoritaire : Porteur, soit un trou ou un électron, qui n'est pas dominant dans une région spécifique, comme les électrons dans une zone de type P.

Mound : Défaut en relief sur la surface d'une plaquette mesurant plus de 0,25 mm.

 

N

Encoche : Une entaille sur le bord d'une plaquette de silicium utilisée à des fins d'orientation.

 

O

Peau d'orange : Surface rugueuse visible à l'œil nu.

 

P

Particule : Petit morceau de matière qui se trouve sur une plaquette et qui n'est pas lié à celle-ci.

Comptage de particules : Plaquettes utilisées pour tester la contamination des outils par des particules.

Contamination particulaire : Particules présentes à la surface d'une plaquette. Elles apparaissent comme des points brillants lorsqu'une lumière collinéenne est projetée sur la plaquette.

Pit : Imperfection inamovible à la surface d'une gaufrette.

Défaut ponctuel : Défaut cristallin qui est une impureté, telle qu'une vacance du réseau ou un atome interstitiel.

Premium Wafer : Gaufrette pouvant être utilisée pour le comptage de particules, la mesure de la résolution des motifs dans le processus de photolithographie et le contrôle de la contamination métallique. Cette plaquette présente des spécifications très strictes pour une utilisation spécifique, mais des spécifications moins strictes que celles de la plaquette de base.

Orientation primaire Plat : Le plat le plus long de la plaquette.

Plaque de test de processus : Plaque pouvant être utilisée pour les processus ainsi que pour la propreté des zones.

Prsurilomètre : Outil utilisé pour mesurer la topographie d'une surface.

R

Résistivité (électrique) : Difficulté qu'ont les porteurs de charge à se déplacer dans un matériau.

Requis : Spécifications minimales requises par le client lors de la commande de plaquettes.

Rugosité : Texture trouvée sur la surface de la plaquette qui est très rapprochée.

 

S

Marques de scie : Irrégularités de surface

Direction du balayage : Dans le calcul de la planéité, la direction des sous-sites.

Rayure : Une marque qui se trouve sur la surface de la plaquette de silicium.

Plat secondaire : Plat plus petit que le plat d'orientation primaire. La position de ce méplat détermine le type et l'orientation de la plaquette.

Site : Zone de la surface avant de la plaquette dont les côtés sont parallèles et perpendiculaires à l'orientation primaire plane (cette zone est de forme rectangulaire).

Réseau de sites : un ensemble de sites voisins

Slip : Défaut constitué de petites crêtes à la surface de la plaquette.

Smudge : Défaut ou contamination constaté sur la plaquette de silicium, causé par des empreintes digitales.

Striation : Défauts ou contaminants ayant la forme d'une hélice.

Sous-site d'un site : Zone située à l'intérieur du site, également rectangulaire. Le centre du sous-site doit être situé à l'intérieur du site d'origine.

Texture de la surface : Variations observées sur la surface réelle de la plaquette qui s'écartent de la surface de référence.

 

T

Plaquette de test : Plaquette de silicium utilisée dans la fabrication à des fins de contrôle et de test.

Épaisseur du film de silicium supérieur : Distance entre la face du film de silicium supérieur et la surface de la couche d'oxyde.

Film de silicium supérieur : Couche de silicium sur laquelle sont placés les dispositifs semi-conducteurs. Elle est située au-dessus de la couche isolante.

Total Indicator Reading (TIR) : La plus petite distance entre des plans sur la surface de la plaquette.

 

V

Plaquette de test vierge : Plaquette qui n'a pas été utilisée dans la fabrication ou dans d'autres processus.

Vide : Absence de toute sorte de liaison (en particulier de liaison chimique) à l'endroit de la liaison.

 

W

Ondes : Courbes et contours visibles à l'œil nu à la surface de la plaquette.

Ondulation : Imperfections très espacées à la surface d'une plaquette.