半導体用語集

A

 

B

Backside（バックサイド・裏面）:シリコンウェーハの底面。(注：この用語は好ましくない。代わりに「裏面」を使う)。

Base Silicon Laye（ベースシリコン層）：絶縁体層の下にあるシリコンウェハーで、ウェハー上のシリコン膜を支える。

Bipolar（バイポーラ）：電荷キャリアとして正孔と電子の両方を使用できるトランジスタ。

Bonded Wafers（ボンデッド ウエーハ）:絶縁層として機能する二酸化ケイ素によって接合された2枚のシリコン ウェーハ。

Bonding Interface（ボンディング・インターフェース）：2枚のウェハーの接合が行われる部分。

Buried Layer（埋め込み層）:デバイス内を流れる電流の抵抗が小さい経路。これらのドーパントの多くはアンチモンとヒ素である。

Buried Oxide Layer (BOX)（埋め込み酸化膜）:2枚のウェハーの間を絶縁する層。

 

C

Carrier（キャリア）：シリコンウェーハの固体表面を通して電荷を運ぶことができる価電子ホールと伝導電子。

Chemical-Mechanical Polish (CMP)（化学機械研磨）:化学的除去と機械的バフ研磨の両方を利用した、ウェハーの平坦化と研磨のプロセス。製造工程で使用される。

Chuck Mark（チャックマーク）:ロボットエンドエフェクター、チャック、またはワンドによって、ウェハーのいずれかの表面に見られるマーク。

Cleavage Plane（クリーバージュプレーン）:優先される破断面。

Crack (クラック): ウェハー上に見られる長さ0.25mm以上の痕。

Crater（クレーター）:拡散照明下で見える、ウェハ上の表面の欠陥で、個々に区別できるもの。

Crosstalk（クロストーク）:基板上の無関係な回路が互いに影響し合うこと。最終的にデバイスの誤作動を引き起こす。

Conductivity (electrical）導電率（電気的）：電荷キャリアが物質中をどれだけ容易に流れることができるかを測定するもの。

Conductivity Type（導電率タイプ）:「N型」「P型」など、ウェハー中の電荷キャリアの種類。

Contaminant, Particulate（汚染物質、粒子状物質）： （光点欠陥を参照）

Contamination Area（汚染領域）:シリコンウェーハの特性に悪影響を与えるパーティクルを含む領域。

Contamination Particulate（汚染粒子）:シリコンウェハーの表面に見られる微粒子。

Crystal Defect（結晶欠陥）：回路の電気的性能に影響を及ぼす可能性のある空孔や転位を含む結晶の一部。

Crystal Indices（クリスタルインデックス）:(ミラー・インデックスを参照)

 

D

Depletion Layer（空乏層）:ウェハー上の、電荷キャリアを掃き出す電界を含む領域。

Dimple（えくぼ）:ウェハーの表面に見られる凹状のくぼみで、適切な照明条件下で目に見える。

Donor（ドナー）:余分な「自由」電子を供与した汚染物質で、ウェーハを「Nタイプ」にする。

Dopant（ドーパント）：伝導プロセスに電子または正孔を寄与させ、導電性を変化させる元素。シリコンウェーハ用のドーパントは、元素周期表のIII族とV族に含まれる。

Doping（ドーピング）：ドーパントによって伝導過程に電子または正孔が供与される過程。

 

E

Edge Chip and Indent（エッジの欠けと凹み）:0.25mmを超えるエッジの欠陥。

Edge Exclusion Area（エッジ除外エリア）:固定品質エリアとウェーハの外周部の間に位置するエリア。(ウェーハの寸法によって異なる）。

Edge Exclusion, Nominal (EE)（エッジ除外、公称）:ウェーハの固定品質エリアと周辺部との間の距離。

Edge Profile（エッジ プロファイル）：化学的または機械的に成形された2枚の接合ウェーハのエッジ。

Etch（エッチング）ウェハーから余分な物質を取り除くための化学反応または物理的除去のプロセス。

 

F

Fixed Quality Area (FQA)（固定品質エリア）:ウェハー表面の最も中心部にある領域。

Flat（フラット）:ウェーハのオリエンテーションのために取り除かれたウェーハ外周の一部。

Flat Diameter（フラット直径）：フラット中心からウエーハの中心を通り、ウエーハの反対側の端までの測定値。(フラットに対して垂直）

Four-Point Probe（4点プローブ）:ウェーハの抵抗率試験に使用される試験装置。

Furnace and Thermal Processes（炉と熱処理プロセス）:ウェハー処理に使用される温度計付き装置。プロセスには一定の温度が必要。

Front Side（フロントサイド・前面）:シリコンウェーハの上面。(この用語は好ましくない。代わりに前面を使う)。

 

G

Goniometer（ゴニオメーター）:角度を測定するための器具。

Gradient, Resistivity:（勾配、抵抗率）:(好ましくない。抵抗率の変化を参照のこと)

Groove（グルーヴ）：磨ききれなかった傷。

 

H

 

I

L

Laser Light-Scattering Event (レーザー光散乱イベント): ウェハー上の表面欠陥を検出する信号パルス。

Lay（レイ）:ウェハー上の表面テクスチャーの主な方向。

Light Point Defect（LPD）（光点欠陥）： （好ましくない。）

Lithography（リソグラフィー）：ウェハーにパターンを転写するプロセス。

Localized Light-Scatterer（局所光散乱体）:光を散乱させるピットやスクラッチなど、ウェハー表面の特徴のひとつ。光点欠陥とも呼ばれる。

Lot（ロット）:同様のサイズと特性を持つウエーハをまとめて出荷すること。

 

M

Majority Carrier（多数キャリア）:N型領域の電子など、特定の領域で支配的な正孔または電子のキャリア。

Mechanical Test Wafer（機械試験用ウェーハ）:テスト用のシリコンウエーハ。

Microroughness（マイクロラフネス）：不純物間の間隔が100μm以下の表面粗さ。

Miller Indices, of a Crystallographic Plane（結晶面のミラー指数）:3つの数字を用いて結晶の面方位を特定するシステム。

Minimal Conditions or Dimensions（最小条件または寸法）:ウェハーを合格とみなすか否かを決定するための許容条件。

Minority Carrier（マイノリティ・キャリア）：P型領域の電子など、特定の領域で支配的でない正孔または電子のキャリア。

Mound（マウンド） :0.25mm以上のウェハー表面の盛り上がった欠陥。

 

N

Notch（ノッチ）：ウェハーの端にあるくぼみで、オリエンテーションの目的で使用される。

 

O

Orange Peel（オレンジピール）：肉眼で確認できる粗い表面。

 

P

Particle（パーティクル）:ウェハー上にある、ウェハーとつながっていない小さな材料片。

Particle Counting（パーティクルカウンティング）：工具のパーティクル汚染検査に使用されるウェハー。

Particulate Contamination（粒子汚染）:ウェハー表面に見られる微粒子。ウェハーに平行光を当てると、明るい点として見える。

Pit（ピット）:ウェハーの表面に見られる除去不可能な欠陥。

Point Defect（点欠陥）：格子空孔や格子間原子などの不純物である結晶欠陥。

Premium Wafer（プレミアムウェーハ）:パーティクルカウンティング、フォトリソグラフィープロセスにおけるパターン解像度の測定、金属コンタミネーションのモニタリングに使用できるウェーハ。このウェーハは、特定の用途に対して非常に厳しい仕様を持っていますが、プライムウェーハよりも緩やかな仕様となっています。

Primary Orientation Flat（プライマリ オリエンテーション フラット）:ウェハー上で最も長いフラット。

Process Test Wafer（プロセス・テスト・ウェーハ）：クリーン・エリアだけでなく、プロセスにも使用できるウェーハ。

Profilometer（プロファイロメーター）:表面形状を測定するためのツール。

R

Resistivity (Electrical)（抵抗率 『電気』） :帯電キャリアが物質中を移動する際の難易度。

Required（必須）:ウェハーを注文する際に顧客が必要とする最小限の仕様。

Roughness（粗さ）：ウェハーの表面に見られる、間隔が非常に狭いテクスチャー。

 

S

Saw Marks（のこぎり跡）:表面の凹凸

Scan Direction（スキャン方向）:平坦度の計算において、サブサイトの方向。

Scratch（スクラッチ）：ウェハー表面に見られる跡。

Secondary Flat（セカンダリーフラット）:プライマリー・オリエンテーション・フラットより小さいフラット。このフラットの位置によって、ウェハーの種類と向きが決まる。

Site（サイト）：ウェハーの前面にある、一次オリエンテーションフラットに平行な辺と垂直な辺を持つ領域（この領域は長方形状である）。

Site Array（サイト・アレイ）：隣接するサイト・セット

Slip（スリップ）：ウェーハ表面に見られる小さな隆起の欠陥パターン。

Smudge（汚れ）:指紋によってウェハー上に見られる欠陥や汚れ。

Striation（条痕）:らせん状に見られる欠陥や汚染物。

Subsite, of a Site（サイトのサブサイト）：サイト内にある、同じく長方形のエリア。サブサイトの中心は元のサイト内になければならない。

Surface Texture（表面テクスチャ）:ウェハーの実表面に見られる、基準表面から逸脱したばらつき。

 

T

Test Wafer（テスト ウェハー）：製造工程でモニタリングやテストを目的として使用されるシリコン ウェハー。

Thickness of Top Silicon Film（トップシリコン膜の厚さ）：トップシリコン膜の面から酸化膜の表面までの距離。

Top Silicon Film（トップシリコンフィルム）:半導体デバイスを載せるシリコンの層。絶縁層の上に位置する。

Total Indicator Reading(TIR)（総インジケータ読み取り値）:ウェハー表面の平面間の最小距離。

 

V

Virgin Test Wafer（ヴァージン テスト ウェハ）：製造や他の工程で使用されていないウェーハ。

Void（空隙）:結合部位に何らかの結合（特に化学結合）がないこと。

 

W

Waves（波）:肉眼で確認できるウェハー表面の曲線や輪郭。

Waviness（波状性）:ウエーハ表面にある、間隔の広い欠陥。