半导体术语表

A

 

B

背面：硅晶圆的底面。(注：不推荐使用此术语，而应使用 "背面"）。

基硅层：位于绝缘层下方的硅晶圆，它支撑着晶圆顶部的硅薄膜。

双极型： 能够同时使用空穴和电子作为电荷载体的晶体管。

 绑定晶圆片：两个硅片通过二氧化硅粘合在一起，二氧化硅起到绝缘层的作用。

绑定面：两个晶圆发生绑定区域。

埋层： 器件中电流移动的低电阻路径。其中许多掺杂剂是锑和砷。

埋入氧化层 (BOX)：两个晶圆之间的绝缘层。

 

C

载流子： 能够携带电荷通过硅晶片固体表面的价电子和传导电子。

化学机械抛光 (CMP)：一种利用化学去除和机械抛光对晶圆进行压平和抛光的工艺。在制造过程中使用。

卡盘痕迹：在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。

解理面：首选的断裂面。

裂纹：晶圆上发现的长度大于 0.25mm的痕迹。

微坑:在漫射光下可见，是晶圆上可单独分辨的表面缺陷。

串扰： 电路板上不相关的电路相互影响。最终导致设备故障。

电导率（电）： 测量电荷载流子在材料中流动的容易程度。

导电类型： 晶圆中电荷载流子的类型，如 "N 型 "和 "P 型"。

污染物，微粒： （见光点缺陷）

污染区：含有可能对硅晶圆特性产生负面影响的颗粒的区域。

污染颗粒：硅晶圆表面的微粒。

晶体缺陷： 晶体中含有空位和位错的部分，会对电路的电气性能产生影响。

晶体指数： （见米勒指数）

 

D

耗尽层： 晶圆上含有电场的区域，可扫除电荷载流子。

微坑：晶圆表面的凹陷，在正确的照明条件下肉眼可见。

施体：捐赠了额外 "自由 "电子的污染物，从而使晶片成为 "N 型"。

掺杂剂：在传导过程中提供电子或空穴从而改变导电性的元素。用于硅晶圆的掺杂剂可在元素周期表的第三和第五族中找到。

掺杂： 掺杂剂为传导过程提供电子或空穴的过程。

 

E

边缘缺口和凹痕：大于 0.25 mm的边缘缺陷。

边缘排除区域：位于固定质量区域和晶圆外围之间的区域。(根据晶圆的尺寸而有所不同）。

边缘排除，标称 (EE)：固定质量区域与晶圆外围之间的距离。

边缘轮廓：两个粘合晶圆的边缘，已通过化学或机械方法成型。

蚀刻:去除晶圆上多余材料的化学反应或物理去除过程。

 

F

固定质量区域 (FQA)： 晶圆表面最中心的区域。

定位边:为晶圆定向而移除的晶圆周边部分。

平面直径：从平面中心穿过晶圆中心到晶圆对边的测量值。(垂直于平面）

四点探针：用于测试晶圆电阻率的测试设备。

熔炉和热工艺：带有温度计的设备，用于加工晶圆。加工过程需要恒定的温度。

正面：硅晶圆的顶面。(此术语并不可取，应使用正面）。

 

G

角度计：用来测量角度的仪器。

梯度，电阻率： （非首选；参见电阻率变化）

凹槽： 没有完全磨光的划痕。

 

H

 

I

L

激光散射：一个信号脉冲，用于定位晶圆上的表面缺陷。

层：晶圆表面纹理的主要方向。

光点缺陷 (LPD)： （非首选；见局部光散射）

光刻:用于将图案转移到晶圆上的工艺。

局部光散射：晶圆表面上的一个特征，如散射光的凹坑或划痕。也称为光点缺陷。

批次：尺寸和特性相似的晶圆放在一起装运。

 

M

多数载流子：在特定区域中占主导地位的载流子，可以是空穴，也可以是电子，如 N 型区域中的电子。

机械测试晶片：用于测试目的的硅晶圆。

微粗糙度：表面粗糙度，杂质间距小于 100 μm。

晶向指数和晶面指数：利用三个数字来确定晶体平面方向的系统。

最小条件或尺寸： 确定晶圆是否合格的允许条件。

少数载流子： 在特定区域（如 P 型区域的电子）不占优势的载流子，可以是空穴，也可以是电子。

堆垛 :晶圆表面超过 0.25mm的凸起缺陷。

 

N

凹槽：晶圆边缘上用于定位的凹痕。

 

O

桔皮：肉眼能看到的粗糙表面。

 

P

颗粒：晶圆上发现的与晶圆无关的一小块材料。

颗粒计数：用于检测工具是否受到颗粒污染的晶圆。

微粒污染：在晶圆表面发现的微粒。当准直光照射晶圆时，它们会显示为亮点。

凹坑：晶圆表面上不可去除的缺陷。

点缺陷： 晶体缺陷是一种杂质，如晶格空位或间隙原子。

测试晶圆片：可用于颗粒计数、测量光刻工艺中的图案分辨率和金属污染监测的晶圆。这种晶圆对特定用途有非常严格的规格要求，但规格要求比普通晶圆宽松。

主定位边：晶圆上最长的定位边。

加工测试晶圆：可用于加工和区域清洁的晶圆。

轮廓仪： 用来测量表面形貌的工具。

R

电阻率（电）： 带电载流子在整个材料中移动的困难程度。

要求： 客户订购晶圆时所需的最低规格。

粗糙度： 晶圆表面上的纹理，这些纹理之间的间距非常紧密。

 

S

锯痕： 表面不规则

扫描方向： 在平整度计算中，子站点的方向。

划痕： 晶圆表面上的痕迹。

次定位边：比主定位边短小的定位边。该定位边的位置决定了晶圆的类型和方向。

局部表面：晶圆正面的一个局部表面，其两侧平行并垂直于主定向平面。（该区域呈矩形）。

局部表面系列：一系列的相关局部表面

划伤:晶圆片表面上的小皱造成的缺陷

污迹：指纹在晶圆上造成的缺陷或污染。

条痕：螺旋状的缺陷或污染物。

局部子表面：局部表面内的区域，也是矩形的。子站中心必须位于原始站点内部。

表面纹理： 晶圆真实表面上发现的偏离参考表面的变化。

 

T

测试晶圆： 制造过程中用于监控和测试目的的硅晶圆。

顶部硅膜厚度： 顶部硅膜表面与氧化层表面之间的距离。

顶部硅膜： 放置半导体器件的硅层。它位于绝缘层之上。

总计指示剂数 (TIR)：晶圆表面平面之间的最小距离。

 

V

原始测试晶圆： 未在制造或其他过程中使用过的晶圆。

无效 - 在应该绑定的地方没有绑定（特别是化学绑定）。

 

W

波浪：在晶圆表面发现的肉眼可见的曲线和轮廓。

波纹：晶圆表面上间隔较宽的瑕疵。