Plaques à faible résistivité

Plaques à faible résistivité (fortement dopées)

Les plaquettes à faible résistivité sont des plaquettes fortement dopées. Elles présentent une faible résistance au passage du courant électrique et sont utilisées pour leurs propriétés hautement conductrices. Ces plaquettes peuvent être chargées positivement (type P) ou négativement (type N). Les plaquettes de type P sont dopées au bore et contiennent des atomes chargés positivement qui transportent le courant à travers la plaquette. Les plaquettes de type N sont chargées négativement et utilisent des électrons pour transporter l'électricité à travers la plaquette. Ces plaquettes peuvent être dopées au phosphore, à l'arsenic ou à l'antimoine pour obtenir leur charge négative.

La plupart des plaquettes sont dopées au cours du processus de fabrication. D'autres, comme les plaquettes intrinsèques, sont introduites dans le dopant après la fabrication. Quelques techniques sont utilisées pour ajouter du dopant à une plaquette après sa fabrication : la diffusion dans l'espace vide, la diffusion dans le réseau interne et le changement de place. Ces trois méthodes impliquent la diffusion de molécules cibles dans la plaquette. Il existe trois méthodes courantes pour introduire des dopants dans une plaquette : la diffusion dans l'espace vide, la diffusion dans le réseau interne et le changement de place.