低电阻率晶圆

低电阻率（高掺杂）晶圆

低电阻晶圆是掺杂程度高的晶圆。它们的电流阻抗低，具有高导电性能。这些晶圆可以带正电（P 型）或负电（N 型）。P 型晶圆掺入了硼，其内部的原子带正电，可携带电流通过晶圆。N 型晶圆带负电，利用电子在晶圆中导电。这些晶圆可以掺入磷、砷或锑来获得负电荷。

大多数晶圆是在制造过程中掺杂的。其他一些晶圆，如本征型晶圆，则是在制造后加入掺杂剂。有几种技术可用于在制造后向晶圆中添加掺杂剂：空位扩散、内晶格扩散和换位。这三种方法都是将目标分子扩散到晶圆中。在晶圆中引入掺杂剂有三种常见方法：空穴扩散、内晶格扩散和换位。