Wafer mit niedrigem spezifischem Widerstand

Wafer mit niedrigem Widerstand (hochdotiert)

Wafer mit niedrigem Widerstand sind Wafer, die stark dotiert sind. Sie haben einen geringen Widerstand gegen den Fluss von elektrischem Strom und werden wegen ihrer hochleitenden Eigenschaften verwendet. Diese Wafer können positiv (P-Typ) oder negativ (N-Typ) geladen sein. P-Typ-Wafer sind mit Bor dotiert und haben positiv geladene Atome in sich, die den Strom durch den Wafer leiten. N-Typ-Wafer sind negativ geladen und verwenden Elektronen, um Strom durch den Wafer zu leiten. Diese Wafer können mit Phosphor, Arsen oder Antimon dotiert werden, um ihre negative Ladung zu erhalten.

Die meisten Wafer werden während des Herstellungsprozesses dotiert. Andere, wie z.B. intrinsische Wafer, werden nach der Herstellung mit Dotierstoff versehen. Es gibt einige Techniken, die verwendet werden, um einem Wafer nach der Herstellung Dotierstoff hinzuzufügen: Diffusion in den leeren Raum, Diffusion in das innere Gitter und Ortsveränderung. Alle drei Methoden beinhalten die Diffusion von Zielmolekülen in den Wafer. Es gibt drei gängige Methoden, um Dotierstoffe in einen Wafer einzubringen: Leerraumdiffusion, Diffusion innerhalb des Gitters und Ortsveränderung.