(408) 844-7100
メニュー
メニュー
製品
シリコンウェーハ
300mm ウェハー
200mm ウェハー
小径ウェハー
両面研磨ウェハー
ウルトラ フラット ウェハー
フロートゾーンウェーハ
低抵抗
N型ウェーハ
コインロールウェハース
シリコンインゴット
シリコンオンインシュレーター
厚膜・薄膜SOI
キャビティSOI (C-SOI)
非シリコン材料
ガラス
サファイア
化合物半導体
シリコンカーバイト
シリコンカーバイト(4H & 6H)
シリコンカーバイトの回収
ウェハーフィルムと工程
カスタムフィルム
酸化膜
窒化ケイ素膜
蒸着金属
フォトレジスト
ポリシリコン
TEOS
低k膜
シリコンカーバイト
化学蒸着
加工
アニール
インプラント
研磨と再生
ダイシング
小型化／レーザー切断
エピタキシャルウェハーサービス
レーザーマーキング
リソグラフィー
ウェハーシニング
在庫
教育
半導体用語集
シリコンウェーハ製造プロセス
会社概要
会社概要
責任ある鉱物調達
お問い合わせ
ホーム
/
業界ニュース
/
半導体業界、チップ技術における米国のリーダーシップを維持するための研究と資金調達の優先事項を発表
/
10年計画 中間報告書-21PG-2スケール
10年計画 中間報告書-21PG-2スケール
(408) 844-7100 