SVM供应全面的光刻胶产品，包括宽带、I-Line、248nm、193nm、电子束、P型、N型、湿法和干法光刻胶。SVM 为所有晶圆直径上的图案化和蚀刻提供光阻解决方案。项目设计规则决定了特定的光阻类型/性能。SVM 负责处理与 CMOS、MEMS、TSV、FEOL、BEOL 等相关的项目。这使我们能够为这些应用和其他应用创建大量的光阻类型组合。SVM 在为测试车辆应用的晶圆图案化、工程短环流工作、应用硬烘焙橡皮布 PR 作为牺牲保护层、蚀刻研究等方面有着悠久的历史。SVM 通过旋涂或喷涂方式为各种应用提供橡皮布抗蚀剂。有关具体项目的问题，请致电 (408) 844-7100 或发送电子邮件至[email protected]联系我们。

SVM供应光刻胶：

I线

I-Line 是一种通用型光刻胶膜，在紫外光谱 365nm 处感光。I-Line 光阻产品通常是对 G 线（435nm）和 H 线（405nm）感光的宽带光阻，但也可以在其光谱灵敏度范围内进行单色曝光。这种薄膜具有出色的附着力和电镀特性，可精确控制曝光，因此非常适合用于 MEMS 和晶圆级封装工艺（如凸起）。

193nm, 248nm 深紫外线 (DUV)

对于更先进的光刻应用，SVM 提供 DUV 248nm KrF 和 193nm ArF 光阻产品。产品可在涂有或未涂有防反射涂层的情况下使用。

厚光刻胶和照片可成像聚酰亚胺

SVM 可以提供高达数百μm的厚光刻胶和聚酰亚胺。这些产品通常用于 MEMS 和 WLP 应用中

光刻胶图案化工艺：

基底准备 - 基底经过清洁，然后进行脱水烘烤和/或添加附着力促进剂，以便为剩余工艺准备晶圆。
光致抗蚀剂旋涂 - 通过旋涂沉积由光致抗蚀剂和溶剂混合物制成的薄而均匀的涂层。薄膜在晶圆旋转（动态涂布）或不旋转（静态涂布）时涂布。
预烘烤 - 旋转涂布后，20-40% 的薄膜仍为溶剂。添加预烤剂可使光阻干燥并稳定薄膜。这一步骤可减少薄膜厚度，改变薄膜特性，提高附着力，并使其不易受微粒污染。
曝光 - 这将改变胶片的溶解度，以便通过光照在晶片上形成图案。曝光有三种形式：
- 接触 - 掩膜与光刻胶接触。
- 接近度 - 掩膜高出光刻胶约 15 - 20μm。
- 投影 - 反射镜将掩膜上的一束光投射到晶圆表面。为了确定正确的曝光，工程师要测量光强度、狭缝尺寸和基片的旋转速度。投影曝光有两种形式：
  1. 扫描 - 计算机对晶圆表面进行扫描，光源在晶圆表面移动，使正确的区域曝光。
  2. 分步重复 - 小面积晶圆暴露在光线下。
Post-exposure bake – This step is generally for wafers with high resolution (<1 micron). In most other circumstances, the substrate goes straight from exposure to development.
显影 - 对晶圆进行化学冲洗，以暴露掩膜留下的蚀刻痕迹。
剥离光阻 - 用化学方法去除或蚀刻所有剩余的光阻，在晶圆上形成最终图案。