切割

• 刀片切割、激光切割和隐形切割可用于裸硅、图案化、SOI 晶圆和其他非硅材料。
• 切割服务适用于所有晶圆直径，从50mm至300mm。
• 图案化和非图案化晶圆基底。
• 我们专注于加工 薄基板 ，并实现最高产量。

SVM 提供取放服务和多种模具包装选择，包括胶带/圆环、凝胶和华夫包装。

晶圆切割方法

晶圆切割是将晶圆锯切成较小部分（称为晶粒）的过程。SVM 使用精密的金刚石切割刀片将硅和其他各种晶圆基板切割成所需的任何尺寸。

有几种不同的方法可以将晶圆切割成芯片。虽然每种工艺都很相似，但每种工艺在不同的应用中都有其独特的优势。

隐形切割

隐形切割是一种激光切割方法，利用半透明波长的光穿透基片表面，从内向外进行切割。首先，将晶片安装在粘合剂上，以防止任何不必要的移动。切割过程从晶圆的中点开始，在晶圆表面形成一个小裂缝。由于晶圆切割是从晶圆内部开始的，因此找到正确的起点对于这种方法的成功至关重要。从内部开始切割还能防止硅尘和微粒对基片表面造成潜在损害。激光加工完成后，需要将晶圆分割成单个晶粒。隐形切割可能不适用于有薄膜或图案干扰激光的晶圆，一般建议用于裸硅。

要分离晶粒，需要从两侧拉开固定晶片的安装胶带，并对晶圆施加拉伸应力。该工艺从晶圆内部开始，因此在切割过程中不会有硅颗粒污染基底。此外，热传导最小，因此不需要任何水或冷却剂。

由于工艺的可用性，隐形切割的最小订货量可能高于其他切割方法。如有任何疑问，请联系我们。

刀片切割

传统的刀片切割需要将晶片安装在金属框架内的粘合薄膜上。在此基础上，工程师将框架和晶片安装到一个卡盘上进行切割。金刚石刀片以每分钟 15,000 到 30,000 转的速度旋转，将晶片切割成相应的晶粒。在刀片切割晶片的同时，水或其他冷却剂沿着切割线喷洒。冷却剂有助于控制温度，防止灰尘颗粒和锯片污染晶片。

划线

划线是刀片切割的另一种形式，它使用划线器（通常是金刚石划线器），以足够的压力划过晶片的晶面。划过晶圆后，对晶圆背面施加压力，使晶圆沿划线断裂。这种方法在某些应用中效果更好，因为过程非常快，而且残余应力最小。由于这种方法在切割过程中不会产生热量，因此无需使用冷却剂。

激光烧蚀切割

与划线切割和刀片切割相比，激光切割不使用物理刀片来切割基板。激光烧蚀切割是一种利用高度集中的激光去除材料的工艺。大多数应用使用脉冲激光器进行切割，但在需要更高强度的光束时，也会使用连续波激光器。切割过程是将光束对准晶片表面，沿着刻划好的图案进行切割。切割过程中，水会冷却基片，使其免受热损伤和颗粒污染。