N型晶圆
纯硅不导电,因此很少用作半导体。为了使纯硅成为实际可用的半导体,必须添加一定量的杂质。添加杂质可以改变导电性,使硅成为半导体。向本征型材料或天然材料中添加杂质的过程称为掺杂,而杂质则称为掺杂剂。掺杂后,本征型材料变成了非本征型材料。实际上,只有在进行掺杂之后,这些材料才会变得可用。
当杂质原子被添加到硅中而不改变其晶体结构时,就会产生一种N型材料。在某些原子中,其价带中含有五个电子,如磷(P)、砷(As)和锑(Sb)。在硅中掺杂任何杂质都必须不能改变其晶体结构或键合过程。杂质原子的额外电子不参与形成共价键,所以它可以自由移动。只需要极少量的杂质就能产生足够的自由电子,从而使电流在硅中自由流通。N型硅是一种良好的导体。电子带负电荷,因此被称为N型。下图显示了添加杂质原子后硅晶体的变化。
由于N型硅的优越导电性能,它被广泛用于许多应用领域中,如功率器件、二极管和晶体管等。
直径: 76mm/100mm/125mm | 直径:200mm | 直径:300mm |
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晶圆 | 晶圆 | 晶圆 |
类型/掺杂剂:N - 磷/锑/砷 | 类型/掺杂剂:N - 磷/锑/砷 | 类型/掺杂剂:N - 磷/锑/砷 |
晶向:<100> | 晶向:<100> | 晶向:<100> |
电阻率:0-100 ohm-cm | 电阻率: 0-100 ohm-cm | 电阻率: 0-100 ohm-cm |
厚度: 381μm/525μm/625μm +/- 20μm | 厚度:725μm +/- 20μm | 厚度:775μm +/- 20μm |
TTV: < 10μm | TTV: < 5μm | TTV: < 5μm |
切面标准:1 or 2/ SEMI standard | 切口标准:SEMI standard | 切口标准: SEMI standard |
单面抛光 | 单面抛光 | 双面抛光 |
颗粒直径 (LPD): <=20@>=0.3um | 颗粒直径 (LPD): <=50@>=0.2um | 颗粒直径(LPD): <=50@>=0.2um |
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