A
受主:一种用于在半导体中形成空穴的元素,比如硼、铟和镓。要求受主原子必须比半导体元素少一价电子。
套准精度:在光刻工艺中转移图形的精度。
各向异性:在蚀刻过程中,只做少量或不做侧向凹刻。
沾污区域: 在晶圆表面发现的任何外来颗粒或物质。这被视为变色或污迹,是污渍、指纹、水渍等造成的。
椭圆方位角: 入射平面与主晶轴之间测量的角度。
B
背面: 晶圆的底部表面。(注:不推荐该术语,建议使用“背部表面”)
底部硅层: 位于绝缘层下部的晶圆片,是顶部硅层的基础。
双极晶体管: 能够同时采用空穴和电子传导电荷的晶体管。
键合晶圆::两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起,作为绝缘层。
键合面: 两个晶圆片键合的接触区。
埋层:为了电路电流流动而形成的低电阻路径,掺杂剂多是锑和砷。
氧化埋层(BOX) : 在两个晶圆片间的绝缘层
C
载流子: 晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。
化学–机械抛光(CMP): 一种利用化学去除和机械抛光对晶圆片进行平整和抛光的工艺。它是在制造过程中使用的。
卡盘痕迹: 在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。
解理面: 首选的破裂面
裂纹: 长度大于0.25mm的晶圆片表面微痕。
微坑: 在扩散照明下可见的,晶圆片表面可区分的缺陷。
串扰: 电路板上相互作用的无关电路。最终导致设备故障。
传导性(电学方面): 一种关于载流子通过物质难易度的测量指标 。
导电类型: 晶圆片中载流子的类型,N型和P型。
污染微粒:(参见光点缺陷)
沾污区域: 含有可能对晶圆片特性产生不利影响的颗粒的区域。
沾污颗粒: 晶圆片表面上的颗粒。
晶体缺陷: 部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。
晶体指数: (参见米勒指数)
D
耗尽层: 晶圆片上的电场区域,此区域排除载流子。
表面起伏: 在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。
施主: 可提供“自由”电子的掺杂剂,使晶圆片呈现为N型。
掺杂剂: 可以为传导过程提供电子或空穴的元素,此元素可以改变传导特性。晶圆掺杂剂可以在元素周期表的III 和 V族元素中发现。
掺杂:把掺杂剂掺入半导体,通常通过扩散或离子注入工艺实现。
E
芯片边缘和缩进:: 晶片中不完整的边缘部分超过0.25mm。
边缘排除区域: 位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。(根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。)
名义上边缘排除(EE): 质量保证区和晶圆片外围之间的距离。
边缘轮廓: 通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。
蚀刻: 通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。
F
质量保证区(FQA): 晶圆片表面中央的大部分。
定位面:晶圆片圆周上的一个小平面,作为晶向定位的依据。
定位面直径: 由小平面的中心通过晶圆片中心到对面边缘的直线距离。
四探针: 测量半导体晶片表面电阻的设备。
炉管和热处理: 温度测量的工艺设备,具有恒定的处理温度。
正面: 晶圆片的顶部表面(此术语不推荐,建议使用“前部表面”)。
G
角度计:用来测量角度的设备。
电阻梯度:(不推荐使用,参见“电阻变化”)
凹槽: 未完全磨光的划痕。
H
手工印记:为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记。
雾度:圆片表面大量的缺陷,常常表现为晶圆片表面呈雾状。
空穴:和正电荷类似,是由缺少价电子引起的。
I
硅:由多晶或单晶形成的圆柱体,晶圆片由此切割而成。
L
激光散射:由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
光点缺陷(LPD):(不推荐使用,参见“局部光散射”)
光刻: 从掩膜到晶圆片转移的过程。
局部光散射: 晶圆片表面特征,例如小坑或擦伤导致光线散射,也称为光点缺陷。
批次: 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
M
多数载流子: 一种载流子,在半导体材料中起支配作用的空穴或电子,例如在N型中是电子。
机械测试晶圆片: 用于测试的晶圆片。
微粗糙:小于100 μm的表面粗糙部分。
米勒指数,晶体平面: 三个整数,用于确定某个并行面。
最小条件或方向: 确定晶圆片是否合格的允许条件。
少数载流子: 在半导体材料中不起支配作用的移动电荷,在P型中是电子,在N型中是空穴。
堆垛: 晶圆片表面超过0.25mm的缺陷。
N
凹槽: 晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。
O
桔皮: 可以用肉眼看到的粗糙表面
P
颗粒: 晶圆片上的与之无关的细小物质。
颗粒计算: 用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。
颗粒污染: 在晶圆片表面发现的颗粒。当光线照射在晶圆片上时,它们显示为亮点。
深坑: 一种晶圆片表面无法消除的缺陷。
点缺陷: 不纯净的晶体缺陷,例如晶格空缺或原子空隙。
测试晶圆片: 影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片。对于具体应用该晶圆片有严格的要求,但是要比主晶圆片要求宽松些。
主定位边: 晶圆片上最长的定位边。
加工测试晶圆片: 用于区域清洁过程中的晶圆片。
表面形貌剂: 一种用来测量晶圆片表面形貌的工具。
R
电阻率(电学方面): 材料反抗或对抗电荷在其中通过的一种物理特性。
必需: 订购晶圆片时客户必须达到的最小规格。
粗糙度: 晶圆片表面间隙很小的纹理。
S
锯痕: 表面不规则
扫描方向: 平整度测量中,局部平面的方向。
擦伤: 晶圆片表面的痕迹。
第二定位边: 比主定位边小的定位边,它的位置决定了晶圆片的类型和晶向。
局部表面: 晶圆片前面上平行或垂直于主定位边方向的区域。
局部表面系列: 一系列的相关局部表面。
划伤: 晶圆片表面上的小皱造成的缺陷。
污迹: 晶圆片上指纹造成的缺陷或污染。
条痕: 螺旋形状的缺陷或污染。
局部子表面: 局部表面内的区域,也是矩形的。局部子表面中心必须位于原始表面内部。
表面纹理:晶圆片实际面与参考面的差异情况。
T
测试晶圆片: 用于生产中监测和测试的晶圆片。
顶部硅膜厚度: 顶部硅层表面和氧化层表面间的距离。
顶部硅膜: 放置半导体器件的硅层,位于绝缘层顶部。
总计指示剂数(TIR): 晶圆片表面位面间的最短距离。
V
原始测试晶圆片: 还没有用于生产或其他流程中的晶圆片。
无效: 在应该键合的表面没有键合(特别是化学键合)。
W
波浪: 晶圆片表面通过肉眼能发现的弯曲和曲线。
波纹: 晶圆片表面经常出现的缺陷。

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