半导体术语表

A

受主：一种用于在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。要求受主原子必须比半导体元素少一价电子。

套准精度：在光刻工艺中转移图形的精度。

各向异性：在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。

沾污区域： 在晶圆表面发现的任何外来颗粒或物质。这被视为变色或污迹，是污渍、指纹、水渍等造成的。

椭圆方位角： 入射平面与主晶轴之间测量的角度。

 

B

背面： 晶圆的底部表面。（注：不推荐该术语，建议使用“背部表面”）

底部硅层： 位于绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。

双极晶体管： 能够同时采用空穴和电子传导电荷的晶体管。

键合晶圆:：两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。

键合面： 两个晶圆片键合的接触区。

埋层：为了电路电流流动而形成的低电阻路径，掺杂剂多是锑和砷。

氧化埋层(BOX) ： 在两个晶圆片间的绝缘层

 

C

载流子： 晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。

化学–机械抛光(CMP)： 一种利用化学去除和机械抛光对晶圆片进行平整和抛光的工艺。它是在制造过程中使用的。

卡盘痕迹： 在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。

解理面： 首选的破裂面

裂纹： 长度大于0.25mm的晶圆片表面微痕。

微坑： 在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。

串扰： 电路板上相互作用的无关电路。最终导致设备故障。

传导性（电学方面）： 一种关于载流子通过物质难易度的测量指标 。

导电类型： 晶圆片中载流子的类型，N型和P型。

污染微粒：（参见光点缺陷）

沾污区域： 含有可能对晶圆片特性产生不利影响的颗粒的区域。

沾污颗粒： 晶圆片表面上的颗粒。

晶体缺陷： 部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。

晶体指数： （参见米勒指数）

 

D

耗尽层： 晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。

表面起伏： 在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。

施主： 可提供“自由”电子的掺杂剂，使晶圆片呈现为N型。

掺杂剂： 可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。晶圆掺杂剂可以在元素周期表的III 和 V族元素中发现。

掺杂：把掺杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。

 

E

芯片边缘和缩进：: 晶片中不完整的边缘部分超过0.25mm。

边缘排除区域： 位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。（根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。）

名义上边缘排除(EE)： 质量保证区和晶圆片外围之间的距离。

边缘轮廓： 通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。

蚀刻： 通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。

 

F

质量保证区(FQA)： 晶圆片表面中央的大部分。

定位面：晶圆片圆周上的一个小平面，作为晶向定位的依据。

定位面直径： 由小平面的中心通过晶圆片中心到对面边缘的直线距离。

四探针： 测量半导体晶片表面电阻的设备。

炉管和热处理： 温度测量的工艺设备，具有恒定的处理温度。

正面： 晶圆片的顶部表面（此术语不推荐，建议使用“前部表面”）。

 

G

角度计：用来测量角度的设备。

电阻梯度：（不推荐使用，参见“电阻变化”）

凹槽： 未完全磨光的划痕。

 

H

手工印记：为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记。

雾度：圆片表面大量的缺陷，常常表现为晶圆片表面呈雾状。

空穴：和正电荷类似，是由缺少价电子引起的。

 

I

硅：由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。

L

激光散射：由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。

光点缺陷(LPD)：（不推荐使用，参见“局部光散射”）

光刻： 从掩膜到晶圆片转移的过程。

局部光散射： 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。

批次： 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。

 

M

多数载流子： 一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在N型中是电子。

机械测试晶圆片： 用于测试的晶圆片。

微粗糙：小于100 μm的表面粗糙部分。

米勒指数，晶体平面： 三个整数，用于确定某个并行面。

最小条件或方向： 确定晶圆片是否合格的允许条件。

少数载流子： 在半导体材料中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。

堆垛： 晶圆片表面超过0.25mm的缺陷。 

 

N

凹槽： 晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。

 

O

桔皮： 可以用肉眼看到的粗糙表面

 

P

颗粒： 晶圆片上的与之无关的细小物质。

颗粒计算： 用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。

颗粒污染： 在晶圆片表面发现的颗粒。当光线照射在晶圆片上时，它们显示为亮点。

深坑： 一种晶圆片表面无法消除的缺陷。

点缺陷： 不纯净的晶体缺陷，例如晶格空缺或原子空隙。

测试晶圆片： 影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片。对于具体应用该晶圆片有严格的要求，但是要比主晶圆片要求宽松些。

主定位边： 晶圆片上最长的定位边。

加工测试晶圆片： 用于区域清洁过程中的晶圆片。

表面形貌剂： 一种用来测量晶圆片表面形貌的工具。

 

R

电阻率（电学方面）： 材料反抗或对抗电荷在其中通过的一种物理特性。

必需： 订购晶圆片时客户必须达到的最小规格。

粗糙度： 晶圆片表面间隙很小的纹理。

 

S

锯痕： 表面不规则

扫描方向： 平整度测量中，局部平面的方向。

擦伤： 晶圆片表面的痕迹。

第二定位边： 比主定位边小的定位边，它的位置决定了晶圆片的类型和晶向。

局部表面： 晶圆片前面上平行或垂直于主定位边方向的区域。

局部表面系列： 一系列的相关局部表面。

划伤： 晶圆片表面上的小皱造成的缺陷。

污迹： 晶圆片上指纹造成的缺陷或污染。

条痕： 螺旋形状的缺陷或污染。

局部子表面： 局部表面内的区域，也是矩形的。局部子表面中心必须位于原始表面内部。

表面纹理：晶圆片实际面与参考面的差异情况。

 

T

测试晶圆片： 用于生产中监测和测试的晶圆片。

顶部硅膜厚度： 顶部硅层表面和氧化层表面间的距离。

顶部硅膜： 放置半导体器件的硅层，位于绝缘层顶部。

总计指示剂数(TIR)： 晶圆片表面位面间的最短距离。

 

V

原始测试晶圆片： 还没有用于生产或其他流程中的晶圆片。

无效： 在应该键合的表面没有键合（特别是化学键合）。

 

W

波浪： 晶圆片表面通过肉眼能发现的弯曲和曲线。

波纹： 晶圆片表面经常出现的缺陷。